2015 Fiscal Year Research-status Report
インチスケールダイヤモンドウェハ開発のための基盤研究
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26600096
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| Research Institution | Kanazawa University |
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Principal Investigator |
徳田 規夫 金沢大学, 電子情報学系, 准教授 (80462860)
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| Project Period (FY) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| Keywords | ダイヤモンド / 結晶成長 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本研究の目的は、超省エネ化に資する次世代ダイヤモンドパワーデバイス実現のために必要なダイヤモンドウェハの大面積（２インチ以上）・低コスト化に関する基盤技術の開発である。具体的には、ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長によりその実現を目指す。
今年度は、昨年度開発したNi基板を用いた自立ダイヤモンド膜作製技術を用いて、その自立ダイヤモンド膜の大面積化技術の開発を試みた。その結果、１インチ角以上の面積を有する多結晶ダイヤモンド自立膜を作製した。また、我々の技術を用いて作製した多結晶ダイヤモンド自立基板上にホウ素ドープしたp層やp+層、そしてリンドープしたn+層の形成を行い、整流性を有するショットキーダイオードやpnダイオードの作製に成功した。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
ほぼ当初の計画通りに進展している。
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| Strategy for Future Research Activity |
我々が開発した技術を応用し、ダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長技術を用いた単結晶ダイヤモンド自立膜の実現を目指す。
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