2015 Fiscal Year Annual Research Report
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26630151
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
小寺 哲夫 東京工業大学, 理工学研究科, 准教授 (00466856)
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| Project Period (FY) |
2014-04-01 – 2016-03-31
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| Keywords | 量子デバイス / スピンデバイス / 量子情報 / 量子ドット |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本研究の目的は、将来的な量子光通信の実現を目指し、ナノ構造素子における光応答の解明に向けた関連技術の開発を行うことにある。原理的に絶対安全な通信である量子光通信の基盤技術開発を目指す挑戦的な研究である。選択的に光励起が可能なシリコン二重量子ドットを実現できれば、シリコン量子ドット内の電子状態を利用して、光子と電子スピンの相互作用制御・情報転写を行うことが可能となる。
本研究によって、設計通りにシリコン２重量子ドットを形成し、各量子ドットに１つずつ電子が入った状態を実現することができた。この状態は、光照射の効果について物理を詳細に調べるために必要である。また、各量子ドットの電子数を制御し、各量子ドット内の電子状態を異なる状態に調整することも達成した。この状態は、各量子ドットにおける励起エネルギーが異なり、ある波長の光に対して選択的に光励起を行える状態を実現できた可能性がある。
最終年度には、より安定的に動作するシリコン量子ドットを実現することに成功した。具体的には、薄膜化したシリコンを用いて量子ドットを作製し、厚み方向の閉じ込めを強めることによって、量子ドットの帯電エネルギーの増大を実証した。大きな帯電エネルギーは、光照射時の素子の安定性のために必要である。
これらの成果は、学術論文誌や、国際会議、国内学会において公表を行った。
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[Presentation] Coupled Si quantum dot devices2015
Author(s)
T. Honda, K. Horibe, R. Mizokuchi, L. Yi, K. Iwasaki, S. Hiraoka, T. Kodera, S. Oda
Organizer
11th International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation (INC11)
Place of Presentation
Fukuoka, Japan
Year and Date
2015-05-11
Int'l Joint Research
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