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2015 Fiscal Year Research-status Report

拡散/ドリフト領域におけるHanle効果を用いたスピン注入・伝導の評価

Research Project

Project/Area Number 26630153
Research InstitutionTokyo Institute of Technology

Principal Investigator

菅原 聡  東京工業大学, 像情報工学研究所, 准教授 (40282842)

Project Period (FY) 2014-04-01 – 2017-03-31
Keywordsスピントロニクス
Outline of Annual Research Achievements

スピン機能とCMOSをデバイスレベルで融合するためには,Siへのスピン注入技術の確立が必須である.本研究課題では,スピン蓄積法や非局所法などを用いたスピン注入・伝導評価デバイスの正確なモデリング・定式化を行い,スピン注入を定量的に評価・解析できる方法を開発する.
従来の解析方法はスピン偏極キャリアの拡散伝導に基づいているが,本研究課題では,ドリフト伝導下のスピン偏極キャリアに拡張する.本年度は,電界によるスピン偏極キャリアのドリフト加速を利用した電界アシスト4端子非局所法の解析を進め,電子ビーム露光を用いるような微細加工を駆使したデバイスでなくても,正確にスピン伝導の評価が可能な,電界アシスト4端子非局所デバイスの設計法を確立した.
さらに,本デバイスを実現するため,Siチャネルへのスピン注入についても検討を行った.ラジカル酸化とラジカル酸素アニールによって高品質CoFe/MgO/Siトンネル接合の作製条件を詳細に検討して,このトンネル接合をスピン注入源とする3端子スピン蓄積デバイスの評価から,チェネルへのスピン注入効率を大幅に増大させることに成功した.また,TiO2をバリアとする新型のスピン注入源を提案して,このスピン注入源によるSiチャネルへのスピン注入を実現した.

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

電界アシスト4端子非局所法によるスピン伝導を解析し,微細加工を用いることなく正確にHanle効果を観測できる設計法を確立した.また,このデバイスの実現をめざし,高品質CoFe/MgO/Siスピン注入源の実現し,高効率のSiチャネルへのスピン注入に成功した.したがって,当初の予定通りに研究計画を進めることができたと結論できる.

Strategy for Future Research Activity

本年度開発した高品質CoFe/MgO/Siスピン注入源を電界アシスト4端子非局所デバイスに導入するためのプロセス開発を行い,実証実験を行う.チャネルにはバルク構造とMOS構造を用いる.以上の実証課題については,シミュレーションによる詳細な解析も合わせて行う.

  • Research Products

    (9 results)

All 2016 2015

All Journal Article (3 results) (of which Peer Reviewed: 3 results,  Acknowledgement Compliant: 3 results) Presentation (6 results) (of which Int'l Joint Research: 3 results)

  • [Journal Article] abrication and characterization of a spin injector using a high-quality B2-ordered-Co2FeSi0.5Al0.5 /MgO /Si tunnel contact2015

    • Author(s)
      Yu Kawame, Taiju Akushichi, Yota Takamura, Yusuke Shuto, and Satoshi Sugahara
    • Journal Title

      J. Appl. Phys.

      Volume: 117 Pages: 17D151/1-3

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Spin accumulation in Si channels using CoFe/MgO/Si and CoFe/AlOx/Si tunnel contacts with high quality tunnel barriers prepared by radical-oxygen annealing2015

    • Author(s)
      Taiju Akushichi, Yota Takamura, Yusuke Shuto, and Satoshi Sugahara
    • Journal Title

      J. Appl. Phys.

      Volume: 117 Pages: 7B531/1-4

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Analysis and design of nonlocal spin devices with bias-induced spin-transport acceleration2015

    • Author(s)
      Yota Takamura, Taiju Akushichi, Yusuke Shuto, and Satoshi Sugahara
    • Journal Title

      J. Appl. Phys.

      Volume: 117 Pages: 17D919/1-4

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Presentation] Spin injection into silicon using CoFe/TiO2/Si tunnel contacts2016

    • Author(s)
      Y. Ikuse, T. Akushichi, Y. Shuto, Y. Takamura, and S. Sugahara
    • Organizer
      The 13th Joint MMM-Intermag Conference
    • Place of Presentation
      San Diego, CA, USA
    • Year and Date
      2016-01-11 – 2016-01-15
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Design of electric-field-assisted nonlocal silicon-channel spin devices2015

    • Author(s)
      D. Kitagata, T. Akushichi, Y. Takamura, Y. Shuto, and S. Sugahara
    • Organizer
      第20回スピン工学の基礎と応用 (PASPS-20)
    • Place of Presentation
      仙台市, 宮城
    • Year and Date
      2015-12-03 – 2015-12-04
  • [Presentation] Fabrication of high quality Co2FeSi0.5Al0.5/CoFe/MgO/Si tunnel contacts for Si-channel spin devices2015

    • Author(s)
      T. Kondo, T. Akushichi, Y. Takamura, Y. Shuto, and S. Sugahara
    • Organizer
      第20回スピン工学の基礎と応用 (PASPS-20)
    • Place of Presentation
      仙台市, 宮城
    • Year and Date
      2015-12-03 – 2015-12-04
  • [Presentation] CoFe/TiO2/Siトンネルコンタクトを用いたSiへのスピン注入2015

    • Author(s)
      生瀬裕之, 悪七泰樹, 周藤悠介, 髙村陽太, 菅原聡
    • Organizer
      第20回スピン工学の基礎と応用 (PASPS-20)
    • Place of Presentation
      仙台市, 宮城
    • Year and Date
      2015-12-03 – 2015-12-04
  • [Presentation] Design and analysis of electric-field-assisted nonlocal silicon-channel spin devices2015

    • Author(s)
      Daiki Kitagata, Taiju Akushichi, Yota Takamura, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara
    • Organizer
      2015 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW2015)
    • Place of Presentation
      Kyoto, Japan
    • Year and Date
      2015-06-14 – 2015-06-15
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Fabrication of high-quality Co2FeSi0.5Al0.5/CoFe/MgO/Si spin injectors for Si-channel spin devices2015

    • Author(s)
      Tsuyoshi Kondo, Yu Kawame, Yota Takamura, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara
    • Organizer
      2015 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW2015)
    • Place of Presentation
      Kyoto, Japan
    • Year and Date
      2015-06-14 – 2015-06-15
    • Int'l Joint Research

URL: 

Published: 2017-01-06  

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