2015 Fiscal Year Annual Research Report
ゲート周辺ダメージ層除去プラズマレス低速平滑エッチング技術開発とメカニズム解明
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26706022
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| Research Institution | Nagoya University |
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Principal Investigator |
田嶋 聡美 名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (50537941)
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| Project Period (FY) |
2014-04-01 – 2016-03-31
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| Keywords | ケミカルドライエッチング / 低速エッチング / 半導体加工 / 表面反応 / 密度汎関数法 / 副生成物制御 / 吸着分子 / 温度管理 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本研究の目的は次世代LSIデバイスの性能を左右する5-20 nmのゲート周辺プラズマエッチング後のダメージ層除去を行うための新規低速平滑ケミカルエッチング技術を開発し,表面反応の機序を解明することである.平成27年度の実績は論文発表1件,学会等発表17件（うち招待講演10件）,社会貢献3件, 図書3件である。
平成26年度は6 nm/minの低速Siエッチングができることが分かったが, 再現性を得ることが課題であった.FTIRによるチャンバー内の副生成物と昇温脱離ガス分析法（TDS）を用いたSi表面の吸着分子の解析結果をまとめたところ,エッチングを阻害するN2O4のみならずN2O2も気相中に存在することが分かった.さらに試料固定の際の真空グリースや洗浄の際に利用したHCl等の不純物も残留していることが分かった.H27年はエッチングの再現性と面内均一性を高めるため赤外分光法(FTIR)チャンバー内の副生成物計測を元にチャンバー温度管理の厳密化と排気ライン改善を行った.また装置新建屋の移設後の再起動と老朽化していたFTIRの修繕を行った.実験設備移設工事期間中（H26.2月-H27.11月）は当該エッチング手法を次世代パワーデバイスのSiC,ナノカーボンセンサー表面処理, 異種材料接着等への応用に向けて一般企業の設備を借用し若手研究者と共に表面モデリングの課題抽出を行った.本研究のこれまでの成果をひらめきときめき☆サイエンス他合計3回の講義録にまとめて社会貢献を行った.
平成26-27年度研究期間の実績は論文発表2件(うち国際共著1件）,学会等発表33件（うち招待講演15件）, 社会貢献7件, 特許出願2件, 図書3件である.期間中4か国の研究者と連携し研究活動を行った.研究推進をご支援下さった関係各位に厚く御礼申し上げる.
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| Research Progress Status |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Causes of Carryover |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Expenditure Plan for Carryover Budget |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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[Journal Article] High sensitivity of carbon nanowalls based sensor for detection of organic vapours2015
Author(s)
P. Slobodian, U. Cvelbar, P. Riha, R. Olejnik, J. Martyas, G. Filpic, H. Watanabe, H. J. Cho, S. Tajima, H. Kondo, M. Sekine and M. Hori
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Journal Title
RSC Advances
Volume: 5
Pages: 90515-90520
DOI
Peer Reviewed / Open Access / Int'l Joint Research / Acknowledgement Compliant
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[Presentation] Effects of Fluorine Termination of Carbon Nanowall Edges onTheir Electrical Properties by Ar/NO/F2 Mixture Gas Treatments2015
Author(s)
H. J. Cho, S. Tajima, K. Takeda, H. Kondo, K. Ishikawa, M. Sekine, M. Hiramatsu, M. Hori
Organizer
9th International Conference on Reactive Plasmas/68rd Gaseous Electronics Conference/33th Symposium on Plasma Processing, (ICRP-9/GEC-68/SPP-33)
Place of Presentation
Hawaii Convention Center, Honolulu, HI, USA
Year and Date
2015-10-12 – 2015-10-16
Int'l Joint Research
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[Presentation] Modeling molecules responsible for the sidewall protection during the chemical dry etching of silicon related materials using F2 + NOx -> F + FNOx2015
Author(s)
S. Tajima, T. Hayashi, K. Yamakawa, M. Sasaki, K. Ishikawa, M. Sekine, and M. Hori
Organizer
Hawaii Convention Center, Honolulu, HI, USA
Place of Presentation
Hawaii Convention Center, Honolulu, HI, USA
Year and Date
2015-10-12 – 2015-10-16
Int'l Joint Research
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[Presentation] 田嶋聡美2015
Author(s)
周期表の中のC,N,O,Fと身近な材料がどのようにくっつくか調べよう
Organizer
ひらめき☆ときめきサイエンス（社会貢献・高校生向け）
Place of Presentation
名古屋大学, 愛知県名古屋市
Year and Date
2015-08-04 – 2015-08-04
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