2016 Fiscal Year Annual Research Report
量子スピン情報素子に向けた新構造シリコン量子ドットの開発
Project/Area Number |
26709023
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Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
Principal Investigator |
小寺 哲夫 東京工業大学, 工学院, 准教授 (00466856)
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Project Period (FY) |
2014-04-01 – 2018-03-31
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Keywords | 量子ドット / 量子デバイス / スピン / 量子情報 / シリコン / 電荷センサ |
Outline of Annual Research Achievements |
本研究の目的は、シリコン量子ドット中の電子スピンを情報の担い手として用いる量子計算の物理の解明、ハードウェアのための基本技術の実現を行うことである。将来的に既存シリコンテクノロジーと量子計算機の融合を目指す。物理としては、シリコン量子ドット構造に特有のスピン緩和要因、バレーやスピンの関与する電子輸送特性を明らかにすることを目指している。技術としては、Si基板やSi/SiGeヘテロ基板を利用した独自の量子ドット構造を作製する。また、Si基板から作製したMOS型新構造量子ドットやSiGeヘテロ基板を利用した新構造シリコン量子ドットのそれぞれに適した電子スピンの操作技術や検出法を開発し、確立する。本年度は、特に、SiGeヘテロ基板を利用した新構造シリコン量子ドットにおいてスピン操作を行い、操作の忠実度について調べる成果を共同研究によって得ることができた。 誤り耐性を持つ量子計算機の実現には、高い性能(ゲート操作忠実度)を持つ量子ビットを必要とする。今回、SiGeヘテロ基板を利用した新構造シリコン量子ドットを作製し、その近傍に配置した微小磁石により生成される傾斜磁場中で、電子の位置を高速に電界制御することにより、量子ドット中の電子スピンを従来の10倍程度速く操作することに成功した。比較的コヒーレンス時間の短い同位体未制御のシリコン中においても高いゲート操作忠実度を持つ量子ビットを実装した。具体的には、忠実度をランダム化ベンチマークの方法によって評価し、誤り耐性量子計算に必要な閾値を上回る99.6%の操作忠実度を実現した。
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Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
1: Research has progressed more than it was originally planned.
Reason
SiGeヘテロ基板を利用した新構造シリコン量子ドットの近傍に微小磁石を作製し、微小磁石が生成する傾斜磁場中で、電子の位置を高速に電界制御することにより、量子ドット中の電子スピンを従来の10倍程度高速に操作することに成功した。量子ビットの性能指数である忠実度をランダム化ベンチマークの方法によって評価し、誤り耐性量子計算に必要な閾値を上回る99.6%の操作忠実度を実現した。本研究課題は、シリコン量子ドット中の電子スピンを情報の担い手として用いる量子計算の物理の解明、ハードウェアのための基本技術の実現を行うことを目的としている。将来的に既存シリコンテクノロジーと量子計算機の融合を目指しており、誤り耐性を持つ量子計算機の実現に向け、高い忠実度を持つ量子ビットを実現した本年度は、大きな進展を得たと言える。
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Strategy for Future Research Activity |
任意の量子計算を行うためには、今年度達成した単一量子ビットの高忠実度操作に加えて、2量子ビット間の量子もつれ操作が必要であることが知られている。量子ドット系においては、これはスピン交換結合の制御によって実現することができる。今後は、2量子ビット操作の制限要因である電荷揺らぎの影響を低減する改善を行い、2量子ビット操作においても誤り耐性忠実度をもつものを実現していく。また、SiGeヘテロ構造を利用した新構造量子ドットだけではなく、Si基板から作製したMOS型新構造量子ドットにおいても、量子ビットを実現していく。
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Causes of Carryover |
SiGeヘテロ基板を用いた新構造量子ドットにおいては、スピン操作に成功し、高いゲート操作忠実度も得ることができ、当初の計画以上の進展を得た。一方、シリコン基板を用いたMOS型新構造量子ドットにおいては、新奇な現象が観測され、体系的な追加実験を実施する必要、およびその成果の学会発表・論文投稿を行う必要があり、次年度使用額が生じた。
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Expenditure Plan for Carryover Budget |
物品費として、素子の測定に必要な寒剤、測定部品の計900,000円、旅費として、866,435円を使用する。
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[Journal Article] A fault-tolerant addressable spin qubit in a natural silicon quantum dot2016
Author(s)
K. Takeda, J. Kamioka, T. Otsuka, J. Yoneda, T. Nakajima, M. R. Delbecq, S. Amaha, G. Allison, T. Kodera, S. Oda, S. Tarucha
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Journal Title
Science Advanced
Volume: 2
Pages: e1600694-1-6
DOI
Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
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[Presentation] Centre resonance frequency shift of a strongly driven silicon quantum dot spin qubit2016
Author(s)
K. Takeda , J. Kamioka , J. Yoneda , T. Otsuka , M.R. Delbecq , G. Allison , T. Nakajima , T. Kodera , S. Oda , and S. Tarucha
Organizer
The international workshop on Nano-Spin Conversion Science and Quantum Spin Dynamics (NSCS-QSD 2016)
Place of Presentation
Tokyo, Japan
Year and Date
2016-10-12 – 2016-10-15
Int'l Joint Research
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[Presentation] High-fidelity spin control in an enriched Si/SiGe quantum dot with a micromagnet2016
Author(s)
J. Yoneda, K. Takeda, T. Otsuka, T. Nakajima, M.R. Delbecq, G. Allison, T. Honda, T. Kodera, S. Oda, Y. Hoshi, T. Usami, K.M. Itoh, and S. Tarucha
Organizer
The international workshop on Nano-Spin Conversion Science and Quantum Spin Dynamics (NSCS-QSD 2016)
Place of Presentation
Tokyo, Japan
Year and Date
2016-10-12 – 2016-10-15
Int'l Joint Research
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[Presentation] Si/SiGe多重量子ドットの形成と電荷状態測定2016
Author(s)
大塚朋廣, 武田健太, 米田淳, 本田拓夢, Matthieu Delbecq, Giles Allison, Marian Marx, 中島峻, 小寺哲夫, 小田俊理, 星裕介, 宇佐美徳隆, 伊藤公平, 樽茶清悟
Organizer
日本物理学会2016年秋季大会
Place of Presentation
金沢大学、石川
Year and Date
2016-09-15
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[Presentation] 同位体制御されたSi/SiGe量子ドットにおける単一電子スピン共鳴2016
Author(s)
米田淳, 武田健太, 大塚朋廣, 中島峻, Matthieu R. Delbecq, Giles Allison, 本田拓夢, 小寺哲夫, 小田俊理, 星裕介, 宇佐美徳隆, 伊藤公平, 樽茶清悟
Organizer
日本物理学会2016年秋季大会
Place of Presentation
金沢大学、石川
Year and Date
2016-09-15
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[Presentation] Measurement of charge states in Si/SiGe multiple quantum dots2016
Author(s)
T. Otsuka, K. Takeda, J. Yoneda, T. Honda, M. R. Delbecq, G. Allison, M. Marx, T. Nakajima, T. Kodera, S. Oda, Y. Hoshi, N. Usami, K. M. Itoh, S. Tarucha
Organizer
Silicon Quantum Electronics Workshop 2016
Place of Presentation
Delft, Netherland
Year and Date
2016-06-13 – 2016-06-14
Int'l Joint Research
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[Presentation] Multiplexed reflectometry measurement of a gate-defined Si-MOS quantum dot2016
Author(s)
J. Yoneda, T. Honda, K. Takeda, M. Marx, T. Otsuka, T. Nakajima, M. R. Delbecq, S. Amaha, G. Allison, T. Kodera, S. Oda, S. Tarucha
Organizer
Silicon Quantum Electronics Workshop 2016
Place of Presentation
Delft, Netherland
Year and Date
2016-06-13 – 2016-06-14
Int'l Joint Research
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[Presentation] AC Stark effect and optimal control of a strongly driven Si/SiGe quantum dot spin qubit2016
Author(s)
K. Takeda, J Kamioka, J Yoneda, T Otsuka, M Delbecq, G Allison, T Nakajima, T Kodera, S Oda, S. Tarucha
Organizer
Silicon Quantum Electronics Workshop 2016
Place of Presentation
Delft, Netherland
Year and Date
2016-06-13 – 2016-06-14
Int'l Joint Research
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