2014 Fiscal Year Research-status Report
高密度イオン軌道ベクトル制御プラズマによる高速・高アスペクト比エッチングの創成
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26790066
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Research Institution | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
Principal Investigator |
本村 大成 独立行政法人産業技術総合研究所, 製造技術研究部門, 研究員 (00635815)
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Project Period (FY) |
2014-04-01 – 2016-03-31
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Keywords | プラズマエッチング |
Outline of Annual Research Achievements |
本研究は、シリコン基板に微細な回路パターンを作成するために多用されるプラズマエッチングにおいて、これまでに難しいとされてきた「高速」と「高アスペクト比」を両立するエッチング技術を実現することを目標としている。エッチング速度を50um/minまで増加させること、ならびにエッチング孔の高いアスペクト比(2.5以上)の実現を最終目標として定める。本研究では、ヘリコン波共振プラズマ生成法および、外部磁場を用いたイオン起動ベクトル制御法を重畳した高速・高アスペクト比プラズマエッチング方法を新規提案する。 本年度の目標として、高速エッチングに資する高密度プラズマ源の開発を掲げ、具体的目標としてプラズマ密度を1立方cmあたり10の12乗を得ることと定めた。 本年度の研究結果として、被処理材上方1cmにおいて、静電プローブを用いてプラズマ密度を計測した結果、500W程度の電力投入かつ外部磁場コイルで最大磁場強度0.02T以上を印可することで、10の12乗のプラズマ密度を達成することができた。これにより、本年度の研究結果を十分に達成できたと考えられる。ヘリコン波の磁場成分の包絡線を測定することで、物理的境界条件(真空容器)内においてヘリコン波の共振現象を測定することが可能になるが、本年度は磁場強度依存性ならびに入力電力依存性を測定することにより、プラズマ密度の急増現象を調べ、ヘリコン波共振現象が生じた可能性について議論した。
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Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
今年度に定めた具体的な目標であるプラズマ密度を達成できたため、本研究は概ね順調に進展していると考えられる。
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Strategy for Future Research Activity |
本研究で得られたプラズマ源の反応性ガスによる運転を行いエッチングテストを行うことで、本研究で提案するヘリコン波共振プラズマ生成法および、外部磁場を用いたイオン起動ベクトル制御法を重畳した高速・高アスペクト比プラズマエッチング方法の有効性についての議論を進めていく。
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Causes of Carryover |
価格端数が生じたため
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Expenditure Plan for Carryover Budget |
次年度の価格端数調整に用いたいと考えている
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Research Products
(1 results)