• Search Research Projects
  • Search Researchers
  • How to Use
  1. Back to project page

2014 Fiscal Year Research-status Report

希土類添加窒化物半導体の希土類周辺構造制御による高励起効率化

Research Project

Project/Area Number 26820113
Research InstitutionOsaka University

Principal Investigator

小泉 淳  大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (30418735)

Project Period (FY) 2014-04-01 – 2016-03-31
Keywords希土類添加半導体 / 窒化物半導体 / ユウロピウム / 有機金属気相エピタキシャル法 / 赤色発光ダイオード / 半導体物性 / 共添加
Outline of Annual Research Achievements

本研究は、Eu添加窒化物半導体による赤色発光デバイスにおいて、発光効率を決めている光学活性なEuイオン周辺局所構造への秩序制御を自己形成する「サイト選択ドーピング」技術を確立し、Eu添加窒化物系赤色発光ダイオードの発光効率向上を目的としている。活性層に注入したキャリアの再結合エネルギーをEuイオンが効率よく受け取るために必要な過程として考えられているキャリア捕獲に着目し、有機金属気相エピタキシャル法によりEu添加GaNを作製する際にドナー(Zn)やアクセプタ(O)の共添加を行った。その結果、Eu,Zn,O共添加GaNにおいて、Eu単独添加やEu,O共添加、Eu,Zn共添加では観測されない、新たな発光ピークが観測された。Euイオンの直接励起を利用した詳細な光学特性評価から、新たなEu添加サイトが形成されることを明らかにした。さらに、新たなEu添加サイトは、ZnとOを同時に添加した場合にのみ形成されることから、電子と正孔を捕獲するEu添加サイトが形成されたことが示された。観察された新たなEu添加サイトの低温における発光効率は、従来から観察されている主要な発光サイトと同程度であったものの、温度消光が小さく、p型GaN層のMgアクセプタの活性化に必要な熱アニールに対しても安定であることを明らかにした。また、これらの試料に対してキャリア捕獲と放出を光伝導測定により評価するためのシステムを構築した。従来からの無添加GaNとEu添加GaNの光伝導測定を行ったところ、Eu添加GaN試料において、無添加GaNとは明らかに異なる特徴的な光応答特性が観測された。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

本研究の目的は、Eu添加窒化物半導体において、Euイオン周辺局所構造の作る準位におけるキャリアの捕獲に着目し、Euとともにドナー(D)とアクセプタ(A)を共添加することで励起効率の高いEu添加サイトを自己形成する「サイト選択ドーピング」技術を確立し、Eu添加窒化物系赤色発光ダイオードの発光効率向上を目的としている。これまでの研究において、Euと共に添加される酸素(O)や、Mg共添加が励起効率の増大に寄与することを明らかにしていたものの、意図的に熱アニールに安定なEu添加サイトが形成されるメカニズムが明確ではなかった。本研究において、アクセプタであるZnとドナーとして働くOを同時に添加した場合にのみ、新たなEu添加サイトの形成が観察され、電子と正孔を捕獲するEu添加サイトが形成されたことが示された。この新たなEu添加サイトの形成は、本研究において計画しているEu添加サイトを自己形成する「サイト選択ドーピング」の狙いのひとつであり、本研究の基盤技術である。また、形成されたEu添加サイトにおいて、キャリアを捕獲するトラップ準位の電気的特性をDLTS測定や光伝導特性により調べる評価装置を作製し、Eu添加GaNに形成されたトラップ準位による特徴的な光応答を得ることができるようになった。

Strategy for Future Research Activity

平成26年度の成果をもとにして、引き続き「サイト選択ドーピング」技術の確立を目指してZn,O共添加とともに、他にもドナーやアクセプタとなるSiやMgによる共添加による効果を調べる。直接励起による評価とともに、共添加により形成されるトラップ準位の特性をDLTS測定により明らかにする。現在のところ、漏れ電流の極めて小さなショットキー電極の形成が評価試料の作製プロセスの課題である。そこで、pn接合を用いた評価も検討することで、平成27年度の実施計画としている発光デバイスの作製と発光効率の評価をEu添加サイトの評価を同じ試料で行う予定である。

  • Research Products

    (28 results)

All 2015 2014 Other

All Journal Article (5 results) (of which Peer Reviewed: 5 results,  Acknowledgement Compliant: 1 results) Presentation (22 results) (of which Invited: 5 results) Remarks (1 results)

  • [Journal Article] In situ Eu doping into AlxGa1-xN grown by organometallic vapor phase epitaxy to improve luminescence properties2015

    • Author(s)
      Atsushi Koizumi, Kosuke Kawabata, Dong-gun Lee, Atsushi Nishikawa, Yoshikazu Terai, Hironori Ofuchi, Tetsuo Honma, and Yasufumi Fujiwara
    • Journal Title

      Optical Materials

      Volume: 41 Pages: 75-79

    • DOI

      10.1016/j.optmat.2014.11.005

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Nanoscale determinant to brighten up GaN:Eu red light-emitting diode: Local potential of Eu-defect complexes2015

    • Author(s)
      Masashi Ishii, Atsushi Koizumi, and Yasufumi Fujiwara
    • Journal Title

      Journal of Applied Physics

      Volume: 117 Pages: 155307/1-7

    • DOI

      10.1063/1.4918662

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] The role of donor-acceptor pairs in the excitation of Eu-ions in GaN:Eu epitaxial layers2014

    • Author(s)
      B. Mitchell, J. Poplawsky, D. Lee, Koizumi, Y. Fujiwara, and V. Dierolf
    • Journal Title

      Journal of Applied Physics

      Volume: 115 Pages: 204501/1-7

    • DOI

      10.1063/1.4879253

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Enhancement in light efficiency of a GaN:Eu red light-emitting diode by pulse-controlled injected charges2014

    • Author(s)
      Masashi Ishii, Atsushi Koizumi, and Yasufumi Fujiwara
    • Journal Title

      Applied Physics Letters

      Volume: 105 Pages: 171903/1-4

    • DOI

      10.1063/1.4900840

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] 希土類添加GaNとLED応用2014

    • Author(s)
      藤原康文, 小泉淳
    • Journal Title

      レーザー研究

      Volume: 42 Pages: 211-215

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Investigation of Energy Transfer Process in Eu-Doped GaN by Two-Wavelength Excited Photoluminescence2015

    • Author(s)
      Kohei Okada, Ryuta Wakamatsu, Dolf Timmerman, Takanori Kojima, Atsushi Koizumi, and Yasufumi Fujiwara
    • Organizer
      7th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials
    • Place of Presentation
      Nagoya University, Nagoya, Japan
    • Year and Date
      2015-03-26 – 2015-03-31
  • [Presentation] Formation of a New Eu Luminescent Center by Zn,O-Codoping in Eu-Doped GaN2015

    • Author(s)
      Masaaki Matsuda, Atsushi Koizumi, Takanori Kojima, Dolf Timmerman, Yasufumi Fujiwara
    • Organizer
      7th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials
    • Place of Presentation
      Nagoya University, Nagoya, Japan
    • Year and Date
      2015-03-26 – 2015-03-31
  • [Presentation] Eu,O共添加GaNにおけるトラップ準位のDLTS評価2015

    • Author(s)
      重宗翼, 小泉淳, 児島貴徳, 藤原康文
    • Organizer
      第62回 応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      東海大学湘南キャンパス(平塚市)
    • Year and Date
      2015-03-11 – 2015-03-14
  • [Presentation] GaN:Eu赤色LEDの発光効率改善法:パルス駆動による注入電荷共振2015

    • Author(s)
      石井真史, 小泉淳, 藤原康文
    • Organizer
      第62回 応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      東海大学湘南キャンパス(平塚市)
    • Year and Date
      2015-03-11 – 2015-03-14
  • [Presentation] Eu,O 共添加GaN におけるDLTS 法を用いたトラップ準位の測定2015

    • Author(s)
      重宗翼、小泉淳、児島貴徳、藤原康文
    • Organizer
      平成26年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会
    • Place of Presentation
      広島大学学士会館レセプションホール(東広島市)
    • Year and Date
      2015-01-24 – 2015-01-24
  • [Presentation] 希土類元素の精密ドーピングによる半導体光機能性の制御2014

    • Author(s)
      藤原康文、Dolf Timmerman、児島貴徳、小泉淳
    • Organizer
      第25回光物性研究会
    • Place of Presentation
      神戸大学百年記念会館(神戸市)
    • Year and Date
      2014-12-12 – 2014-12-13
  • [Presentation] Temperature dependence of photoconductivity in Eu-doped GaN2014

    • Author(s)
      A. Koizumi, K. Okada, T. Shigemune, T. Kojima, and Y. Fujiwara
    • Organizer
      2nd KANSAI Nanoscience and Nanotechnology
    • Place of Presentation
      The Congres Convention Center, Osaka, Japan
    • Year and Date
      2014-12-10 – 2014-12-11
  • [Presentation] Eu site-dependent energy transfer in red light emitter of Eu-doped GaN2014

    • Author(s)
      Y. Fujiwara, R. Wakamatsu, D. Lee, B. Mitchell, A. Koizumi, and V. Dierolf
    • Organizer
      2014 MRS Fall Meeting, Symposium T: Wide-Bandgap Materials for Solid-State Lighting and Power Electronics
    • Place of Presentation
      Boston, USA
    • Year and Date
      2014-11-30 – 2014-12-05
  • [Presentation] Low-temperature growth of Eu-doped GaN by organometallic vapor phase epitaxy2014

    • Author(s)
      W. Zhu, D. Timmerman, B. Mitchell, A. Koizumi, and Y. Fujiwara
    • Organizer
      2014 MRS Fall Meeting, Symposium T: Wide-Bandgap Materials for Solid-State Lighting and Power Electronics
    • Place of Presentation
      Boston, USA
    • Year and Date
      2014-11-30 – 2014-12-05
  • [Presentation] Europium-doped gallium nitride and its application to environmentally-friendly red light-emitters2014

    • Author(s)
      Y. Fujiwara, D. Timmerman, T. Kojima, and A. Koizumi
    • Organizer
      1st International Symposium on Interactive Materials Science Cadet Program
    • Place of Presentation
      Hotel Hankyu Expo Park, Osaka, Japan
    • Year and Date
      2014-11-16 – 2014-11-19
    • Invited
  • [Presentation] Effects of oxygen codoping on Eu luminescence properties in Eu-doped GaN2014

    • Author(s)
      J. Takatsu, M. Matsuda, T. Kojima, A. Koizumi, and Y. Fujiwara
    • Organizer
      1st International Symposium on Interactive Materials Science Cadet Program
    • Place of Presentation
      Hotel Hankyu Expo Park, Osaka, Japan
    • Year and Date
      2014-11-16 – 2014-11-19
  • [Presentation] Formation of efficient Eu luminescent centers in Eu-doped GaN by low-temperature organometallic vapor phase epitaxy2014

    • Author(s)
      W. Zhu, D. Timmerman, B. Mitchell, A. Koizumi, and Y. Fujiwara
    • Organizer
      1st International Symposium on Interactive Materials Science Cadet Program
    • Place of Presentation
      Hotel Hankyu Expo Park, Osaka, Japan
    • Year and Date
      2014-11-16 – 2014-11-19
  • [Presentation] Eu-doped GaN and its application to environmentally-friendly red light-emitting diodes2014

    • Author(s)
      Y. Fujiwara, D. Timmerman, T. Kojima, and A. Koizumi
    • Organizer
      The second International Conference on Advanced Materials and Nanotechnology
    • Place of Presentation
      Hanoi, Vietnam
    • Year and Date
      2014-10-29 – 2014-11-01
    • Invited
  • [Presentation] 希土類元素を極める ―希土類添加半導体から何が見えてくるのか―2014

    • Author(s)
      藤原康文、児島孝徳、Dolf Timmerman、小泉淳
    • Organizer
      日本金属学会2014年秋期講演大会
    • Place of Presentation
      名古屋大学東山キャンパス(名古屋市千種区)
    • Year and Date
      2014-09-24 – 2014-09-26
  • [Presentation] Optical and electrical properties of Eu,Si-codoped GaN grown by organometallic vapor-phase epitaxy2014

    • Author(s)
      A. Koizumi, S. Kuwata, and Y. Fujiwara
    • Organizer
      Energy Materials Nanotechnology Open Access Week
    • Place of Presentation
      Chengdu, China
    • Year and Date
      2014-09-22 – 2014-09-25
    • Invited
  • [Presentation] Growth and characterization of Eu-doped GaN by low-temperature organometallic vapor phase epitaxy2014

    • Author(s)
      朱婉新、Timmerman Dolf、小泉淳、藤原康文
    • Organizer
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      北海道大学札幌キャンパス(札幌市)
    • Year and Date
      2014-09-17 – 2014-09-20
  • [Presentation] Eu添加GaNにおけるZn,O共添加による新たなEu発光中心の形成2014

    • Author(s)
      松田将明、朱婉新、児島貴徳、小泉淳、藤原康文
    • Organizer
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      北海道大学札幌キャンパス(札幌市)
    • Year and Date
      2014-09-17 – 2014-09-20
  • [Presentation] 二波長励起PL測定によるEu添加GaNのエネルギー輸送効率の評価2014

    • Author(s)
      岡田浩平、若松龍太、Dolf Timmerman、児島貴徳、小泉敦、藤原康文
    • Organizer
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      北海道大学札幌キャンパス(札幌市)
    • Year and Date
      2014-09-17 – 2014-09-20
  • [Presentation] 二波長励起PL測定によるEu添加GaNのエネルギー輸送機構の解明2014

    • Author(s)
      岡田浩平,若松龍太,Dolf Timmerman,児島貴徳,小泉淳,藤原康文
    • Organizer
      平成26年度日本材料学会第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会
    • Place of Presentation
      大阪大学吹田キャンパス(吹田市)
    • Year and Date
      2014-07-26 – 2014-07-26
  • [Presentation] Eu添加GaNに及ぼすO共添加の効果2014

    • Author(s)
      松田将明,李東建,高津潤一,児島貴徳,小泉淳,藤原康文
    • Organizer
      平成26年度日本材料学会第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会
    • Place of Presentation
      大阪大学吹田キャンパス(吹田市)
    • Year and Date
      2014-07-26 – 2014-07-26
  • [Presentation] Eu添加GaNにおける赤色発光効率のEuイオン局所構造依存性2014

    • Author(s)
      藤原康文、若松龍太、小泉淳
    • Organizer
      第353回蛍光体同学会講演会
    • Place of Presentation
      化学会館ホール(東京都千代田区)
    • Year and Date
      2014-06-06 – 2014-06-06
    • Invited
  • [Presentation] Effects of impurity codoping on luminescence properties in Eu-doped GaN2014

    • Author(s)
      Y. Fujiwara, D. Lee, A. Koizumi, B. Mitchell, and V. Dierolf
    • Organizer
      5th International Workshop on Photoluminescence Rare Earths
    • Place of Presentation
      San Sebastian, Spain
    • Year and Date
      2014-05-14 – 2014-05-16
    • Invited
  • [Remarks] 藤原研究室

    • URL

      http://www.mat.eng.osaka-u.ac.jp/mse6/

URL: 

Published: 2016-06-01  

Information User Guide FAQ News Terms of Use Attribution of KAKENHI

Powered by NII kakenhi