2014 Fiscal Year Research-status Report
集積回路設計のための高速・高精度な電磁界解析技術の研究
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26820139
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
平野 拓一 東京工業大学, 理工学研究科, 助教 (60345361)
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| Project Period (FY) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| Keywords | 等価媒質定数 / 集積回路 / 電磁界解析 / 誘電率 / ダミーメタル / 細線 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本研究課題では、集積回路の高速・高精度な電磁界解析に関する研究を行うのが目的である。シリコンCMOSプロセス技術の発展により、ディジタル回路のみならずマイクロ波・ミリ波帯高周波アナログ回路のチップへの集積化が進んでいる。しかし、高度に集積した場合には回路ブロック同士の相互結合や干渉が問題となる。これらの問題は電磁界解析により予測できるが、チップの配線構造が複雑なため、実構造の電磁界解析は現在でも不可能である。本課題では回路ブロック同士の相互結合および干渉を評価するための高速・高精度解析に関する研究を行う。
平成26年度の計画はダミーメタルや配線層などの複雑な構造を一様等価媒質定数で近似するための電磁界シミュレーション技術を確立することであった。大きさ5μm角程度、周期10μm程度のダミーメタルが CMOSチップ内に配置されている場合を想定して、等価媒質定数のシミュレーション解析を行った。実モデルと等価媒質定数モデルを充填した導波路のSパラメータを比較することで、等価媒質定数モデルの有効性および精度を確認した。また、線路などの等価媒質定数モデル化を想定して２次元細線周期構造の等価媒質定数モデルのシミュレーション解析を行い、同様に有効性と精度を確認した。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
平成26年度の計画はダミーメタルや配線層などの複雑な構造を一様等価媒質定数で近似するための電磁界シミュレーション技術を確立することであった。大きさ5μm角程度、周期10μm程度のダミーメタルが CMOSチップ内に配置されている場合および幅5μm程度、周期10μm程度の２次元細線周期構造の等価媒質定数モデルのシミュレーション解析を行い、実モデルと等価媒質定数モデルを充填した導波路のSパラメータを比較することで有効性と精度を確認した。おおむね計画通り進展している。
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| Strategy for Future Research Activity |
次年度(H27年度)は、当初計画どおりマイクロ波帯での実験により、今年度シミュレーションで得られた結果を確認する。
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[Presentation] 2次元周期配列導体細線の実効媒質定数の解析2015
Author(s)
平野拓一・広川二郎・安藤 真
Organizer
電子情報通信学会技術研究報告, vol.114, no.433, EST2014-130, pp.321-325
Place of Presentation
大阪大学豊中キャンパス
Year and Date
2015-01-29 – 2015-01-30
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