• Search Research Projects
  • Search Researchers
  • How to Use
  1. Back to project page

2014 Fiscal Year Research-status Report

GeSn膜の低欠陥密度化及びキャリア密度の制御

Research Project

Project/Area Number 26870261
Research InstitutionNagoya University

Principal Investigator

竹内 和歌奈  名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (90569386)

Project Period (FY) 2014-04-01 – 2017-03-31
KeywordsGeSn / 欠陥評価 / ゲルマニウムースズ / DLTS測定 / 水素成長 / 水素の効果 / ドーパント不活性化抑制
Outline of Annual Research Achievements

Ge1-xSnxはSn組成によってエネルギーバンド構造を変調可能であり、8%程度で直接遷移半導体となる材料である。そのため、長波長受発光素子などの光学デバイス、トンネルFETなどの電子デバイスへの応用が期待されている。Ge1-xSnxは欠陥起因の高いキャリア密度を持っており、非ドープでp型である事が知られている。そのため、Ge1-xSnxデバイスの実現に向けて、Ge1-xSnx層のキャリア密度制御及びデバイスの特性を劣化させる深い準位の欠陥制御技術の確立が必要である。
初年度は1.Ge1-xSnx中の深い準位の欠陥評価を実施し、さらに並行して28年度に実施も行った。2.Ge1-xSnx層の低キャリア密度化に向けて、成長中の水素の効果についても調べた。
1.Ge1-xSnx中の深い準位の欠陥評価:Ge中の空孔欠陥とSnの挙動、Snがドーパントに与える効果を調べるために、Ge基板に意図的にSnをイオン注入し、空孔欠陥とSnに起因した欠陥の挙動を明らかにした。その結果、Sn-VとSb-V欠陥を検出し、さらにSnの注入量が増加するとドーパントと空孔に起因したSb-V欠陥が減少した。この結果は、Snを導入することで、ドーパントの不活性化抑制を示唆している。また、これらの点欠陥は300度の窒素雰囲気熱処理により減少できる事が分かった。
2.Ge1-xSnx層の低キャリア密度化:欠陥起因の高いキャリア密度をもつ低温形成Ge1-xSnx層の低キャリア密度化に向けて、結晶性を高めるために、水素を成長中に導入した。水素を導入することで、結晶性が劇的に向上し、キャリア密度を1桁下げることに成功した。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

1: Research has progressed more than it was originally planned.

Reason

Ge1-xSnx中の欠陥評価の基準となる、イオン注入によるGe中のSn関する欠陥評価について順調に研究を遂行している。また、28年度行う予定であった、水素効果によるキャリア密度低減について、並行して行う事ができたため、当初の計画以上に進展することができた。また、28年度予定の結晶成長させたGe1-xSnx膜の電気的評価も一部、合わせて並行して進める事ができた。しかしながら、水素雰囲気成長の結果、欠陥密度の低減はできたが、デバイスに必要な欠陥密度には達成していない。そのため、後処理等の検討が必要である。これについては本年度行う予定である。エピタキシャルGe1-xSnx層とn型Ge基板との接合特性については知見を得る事ができたが、エピタキシャルGe1-xSnx層中の詳細な欠陥評価には至らなかった。そのため、エピタキシャルGe1-xSnx層中の欠陥を正確に評価するためには評価方法の工夫が必要であることが分かった。評価用の構造の最適化を行い、低欠陥密度化した試料で測定を行う必要がある(28年度に実施予定)

Strategy for Future Research Activity

昨年度において水素が成長に与える効果が大きい事が分かった。しかしながら、未だ十分な結晶性には達していないため、今年度は熱処理温度や水素熱処理効果により、成長後の結晶性の改善について調べる必要がある。
それと共に、Ge1-xSnx中の空孔欠陥とドーパントやSnとの複合体だけでなく、成長中に意図せずに混入してしまう不純物(O, H, Cなど)と空孔欠陥やSnとの複合体の欠陥準位が分かっていないため、これを調べ、実際に成長させたGe1-xSnx層の評価に適用する。
最終年度にはGe1-xSnx層の評価用構造の最適化を行い、エピタキシャル成長によって導入した欠陥をデバイス作製に必要なそれぞれの層(低キャリア密度のi層、n型ドープ、p型ドープ層)に対して評価を行う。そして、熱処理による回復過程も同時に調べる。こられの測定から、エピタキシャルGe1-xSnx層中の欠陥の知見を得る。具体的な欠陥評価や結晶性の評価にはDLTS測定やX線回折、PL測定などを用いる。

Causes of Carryover

実験計画を変更し、初年度に3年目に実験する予定であったエピタキシャルGe1-xSnx層の電気特性及び水素による低キャリア密度化を行った。そのため、初年度に購入予定であった装置を次年度で購入することに変更した。

Expenditure Plan for Carryover Budget

本年度、非ドープGe1-xSnxのP型の起源である、浅い準位の評価をするために、電流DLTSを立ち上げる必要がある。そのため、本年度は電流計を購入する。また、Ge中のSnと空孔欠陥及びドーパントや酸素などの不純物とのコンプレックスとその熱処理による回復過程を調べるため、イオン注入及び2次イオン質量分析を外部に依頼する。

  • Research Products

    (16 results)

All 2015 2014 Other

All Journal Article (2 results) (of which Peer Reviewed: 1 results) Presentation (13 results) (of which Invited: 1 results) Remarks (1 results)

  • [Journal Article] Impact of Hydrogen Surfactant on Crystallinity of Ge1-xSnx Epitaxial Layers2015

    • Author(s)
      T. Asano, N. Taoka, K. Hozaki, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] n型Ge単結晶中におけるSnと空孔関連欠陥との相互作用2014

    • Author(s)
      竹内和歌奈, 田岡紀之, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • Journal Title

      信学技報

      Volume: 114 Pages: 113-118

  • [Presentation] Transformation of Defects Structure in Germanium by Sn Ion Implantation2015

    • Author(s)
      W. Takeuchi, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Organizer
      International Union of Materials Research Societies - International Conference in Asia 2014 (IUMRS-ICA 2014)
    • Place of Presentation
      Fukuoka,Japan
    • Year and Date
      2015-08-24 – 2015-08-30
  • [Presentation] Control of Electrically Active Defects in Ge1-xSnx Epitaxial Layers2015

    • Author(s)
      T. Asano, S. Shibayama, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima
    • Organizer
      The 9th International Conference On Silicon Epitaxy And Heterostructures (ICSI-9)
    • Place of Presentation
      Canada
    • Year and Date
      2015-05-17 – 2015-05-22
  • [Presentation] Characterization of Crystallinity of Ge1-xSnx Epitaxial Layers Grown by using Metal-Organic Chemical Vapor Deposition2015

    • Author(s)
      Y. Inuzuka, S. Ike, T. Asano, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Organizer
      The 9th International Conference On Silicon Epitaxy And Heterostructures (ICSI-9)
    • Place of Presentation
      Canada
    • Year and Date
      2015-05-17 – 2015-05-22
  • [Presentation] Electrically-Active Defects in Ge1-xSnx Epitaxtial Layer2015

    • Author(s)
      W. Takeuchi, T. Asano, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima
    • Organizer
      ISPlasma 2015 / IC-PLANTS 2015
    • Place of Presentation
      Japan
    • Year and Date
      2015-03-26 – 2015-03-31
  • [Presentation] Ge1-xSnxエピタキシャル層中の電気的活性な欠陥の挙動2015

    • Author(s)
      竹内和歌奈, 浅野孝典, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • Organizer
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      東海大学湘南キャンパス、日本
    • Year and Date
      2015-03-11 – 2015-03-14
  • [Presentation] Behaviors of tin related defects in Sb doped n-type germanium2015

    • Author(s)
      W. Takeuchi, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka and S. Zaima
    • Organizer
      8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • Place of Presentation
      Japan
    • Year and Date
      2015-01-29 – 2015-01-30
    • Invited
  • [Presentation] Sbドープn型Ge中のSn関連欠陥の挙動2014

    • Author(s)
      竹内和歌奈, 田岡紀之, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • Organizer
      第14回日本表面科学会中部支部 学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋大学、日本
    • Year and Date
      2014-12-20
  • [Presentation] Hydrogen Surfactant Epitaxy of Ge1-xSnx Layers2014

    • Author(s)
      T. Asano, N. Taoka, K. Hozaki, W. Takeuchi,M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Organizer
      JSPS Core-to-Core Program Workshop "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • Place of Presentation
      Belgium
    • Year and Date
      2014-11-13 – 2014-11-14
  • [Presentation] Ge1-xSnxエピタキシャル成長における水素サーファクタント導入の効果2014

    • Author(s)
      浅野孝典, 田岡紀之, 保崎航也, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • Organizer
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      北海道大学、日本
    • Year and Date
      2014-09-17 – 2014-09-20
  • [Presentation] 有機金属化学気相蒸着法によるGe1-xSnx薄膜成長2014

    • Author(s)
      犬塚雄貴, 池進一, 浅野孝典, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • Organizer
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      北海道大学、日本
    • Year and Date
      2014-09-17 – 2014-09-20
  • [Presentation] Impact of Hydrogen Surfactant Epitaxy and Annealing on Crystallinity of Epitaxial Ge1-xSnx Layers2014

    • Author(s)
      T. Asano, N. Taoka, K. Hozaki, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka and S. Zaima
    • Organizer
      2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014)
    • Place of Presentation
      Tsukuba, Japan
    • Year and Date
      2014-09-08 – 2014-09-11
  • [Presentation] Ge1-xSnxエピタキシャル成長における積層欠陥構造の制御2014

    • Author(s)
      浅野孝典, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • Organizer
      電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
    • Place of Presentation
      名古屋大学、日本
    • Year and Date
      2014-06-19
  • [Presentation] n型Ge単結晶中におけるSnと空孔関連欠陥との相互作用2014

    • Author(s)
      竹内和歌奈, 田岡紀之, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • Organizer
      電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会(SDM),電子デバイス研究会(ED),電子部品・材料研究会(CPM)共催
    • Place of Presentation
      名古屋大学、日本
    • Year and Date
      2014-05-28 – 2014-05-29
  • [Remarks] 名古屋大学大学院 工学研究科 結晶材料工学専攻 財満研究室

    • URL

      http://alice.xtal.nagoya-u.ac.jp/zaimalab/

URL: 

Published: 2016-06-01  

Information User Guide FAQ News Terms of Use Attribution of KAKENHI

Powered by NII kakenhi