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2015 Fiscal Year Annual Research Report

光励起下におけるInAs量子ドット層の面内伝導特性の解明と光伝導アンテナへの応用

Research Project

Project/Area Number 26889043
Research InstitutionThe University of Tokushima

Principal Investigator

熊谷 直人  徳島大学, ソシオテクノサイエンス研究部, 特任講師 (40732152)

Project Period (FY) 2014-08-29 – 2016-03-31
Keywords量子ドット / 分子線エピタキシー / 光伝導アンテナ / テラヘルツ
Outline of Annual Research Achievements

1. 歪緩和InGaAs層に埋め込んだInAs量子ドット積層試料を用いて前年度までに作製した光伝導アンテナ構造に対し、実際のアンテナ動作時と同様の波長1.5ミクロン帯フェムト秒超短パルスレーザ(80MHz)を用いて光励起し、アンテナ電極間を流れる光電流の励起光強度依存性を評価した。また、同波長1.5ミクロンのCWレーザによる励起光強度依存性についても測定を行った。暗電流に比べて明瞭な光電流が確認され、パルス、CW励起両者の励起光強度依存性を比較するため、励起強度のピークパワー密度依存性により光電流のピーク値を評価したところ、10~10MW/cm2の6桁に渡る広いレンジで線形な光電流の増加を確認できた。100MW/cm2では過飽和吸収による光電流増加の飽和傾向が見られ、その飽和強度は約90MW/cm2と見積もられた。
2. さらなるキャリア緩和の高速化を図るべく、キャリア緩和時間について、歪緩和InGaAs層のIn組成依存性、量子ドット層成長温度依存性を透過率変化の時間分解測定により評価したが、psオーダーからの著しい高速化や、組成や成長温度に対するはっきりとした依存性は確認できなかった。
3. 量子ドット層の光電流のパワースペクトル周波数特性を透過率変化の時間分解スペクトル測定結果から評価した。キャリア緩和の時間曲線である透過率変化の時間分解スペクトルを実際に測定し、このフーリエ係数の絶対値の自乗が光電流パワースペクトルの周波数特性となり、アンテナ動作をさせなくても直接的に周波数特性を評価できる。量子ドットの場合、キャリア緩和の速い成分、遅い成分が混在しており、周波数特性への影響について調べると、~1THz以上の領域ではサブピコからピコ秒オーダーの緩和時間であれば感度曲線に余り影響しないが、0 Hz近傍でのDCノイズ分の大小には緩和時間が大きく影響することから、ある程度の速い緩和成分があれば、遅い緩和成分の抑制が重要であることがわかった。

Research Progress Status

27年度が最終年度であるため、記入しない。

Strategy for Future Research Activity

27年度が最終年度であるため、記入しない。

  • Research Products

    (7 results)

All 2016 2015

All Journal Article (1 results) (of which Peer Reviewed: 1 results,  Acknowledgement Compliant: 1 results) Presentation (6 results) (of which Int'l Joint Research: 3 results)

  • [Journal Article] Photoconductivity of Er-doped InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs layers with 1.5 um cw and pulse excitation2016

    • Author(s)
      Keisuke Murakumo,YuyaYamaoka, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada, and Toshiro Isu
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 55 Pages: 04EH12(1-5)

    • DOI

      http://dx.doi.org/10.7567/JJAP.55.04EH12

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Presentation] ErドープInAs量子ドット層のキャリア緩和時間から評価した光電流周波数特性2016

    • Author(s)
      熊谷直人、村雲圭祐、盧翔孟、北田貴弘、井須俊郎
    • Organizer
      第63回応用物理学会春季学術講演会 20a-H135-8
    • Place of Presentation
      東京工業大学 (東京都目黒区)
    • Year and Date
      2016-03-20
  • [Presentation] Photoconductivity with 1.55 um excitation of InAs QDs embedded in InGaAs barriers on GaAs substrate2015

    • Author(s)
      Keisuke Murakumo, Yuya Yamaoka, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada, and Toshiro Isu
    • Organizer
      International Conference on Solid State Devices and Materials 2016, PS-7-9
    • Place of Presentation
      札幌コンベンションセンター (北海道札幌市)
    • Year and Date
      2015-09-29
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] 1.5umパルス励起によるInAs量子ドット光伝導アンテナ構造の光電流2015

    • Author(s)
      村雲圭祐、熊谷直人、蘆翔孟、北田貴弘、井須俊郎
    • Organizer
      第76回応用物理学会秋季学術講演会 16p-2J-11
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場 (愛知県名古屋市)
    • Year and Date
      2015-09-16
  • [Presentation] Mobility of in-plane photocurrent of stacked InAs QDs layers in strain-relaxed InGaAs matrix2015

    • Author(s)
      N. Kumagai, K. Murakumo, T. Kitada, and T. Isu
    • Organizer
      17th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, Mo-PM-14
    • Place of Presentation
      仙台国際センター (宮城県仙台市)
    • Year and Date
      2015-07-27
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] 歪緩和InGaAs層に埋め込んだInAs量子ドット層の面内光伝導特性2015

    • Author(s)
      村雲 圭佑, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎
    • Organizer
      第34回電子材料シンポジウム, Th4-10
    • Place of Presentation
      ラフォーレ琵琶湖 (滋賀県守山市)
    • Year and Date
      2015-07-16
  • [Presentation] In-plane photoconductivity of InAs QDs embedded in strain-relaxed InGaAs layer2015

    • Author(s)
      Keisuke Murakumo, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada, and Toshiro Isu
    • Organizer
      The 42nd International Symposium of Compound Semiconductors, Mo3GN1.2
    • Place of Presentation
      The University of California (Santa Barbara, CA, US)
    • Year and Date
      2015-06-29
    • Int'l Joint Research

URL: 

Published: 2017-01-06  

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