1986 Fiscal Year Annual Research Report
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60880024
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| Research Institution | Faculty of Science, Nagoya University |
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Principal Investigator |
伊藤 憲昭 名大, 工学部, 教授 (90022996)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
今池 宏 新川電機(株), 開発部, 課長
有馬 和明 新川電機(株), 開発部, 社員
谷村 克己 名古屋大学, 理学部, 助手 (00135328)
松井 尚之 名古屋大学, 工学部, 助手 (00023185)
木下 智見 九州大学, 工学部, 助教授 (50037917)
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| Keywords | 照射損傷 / 体積変化 / セラミックス / 核融合炉材料 / 中性子照射 / アルミナ / スピネル / トランスデューサー |
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| Research Abstract |
本研究の目的は、加速器より発生する14MeV中性子照射下の固体の体積変化を、【10^(-6)】の精度で測定出来るトランスデューサーを開発することにある。現在のところ、得られる14MeV中性子線量が小さく、長期間の照射を必要とするため、長さ変化を電気信号に変化する安定度の高いトランスデューサーの開発を必要とする。
本研究においては、高真空で遮蔽したチェンバー内に2個の試料を設置し、一方を中性子線量の高いところ、他方を中性子線量が1/5程度のところにおき、2個の試料の長さの差を電気信号に変換するトランスデューサーを作成した。変換部を、ステンレス綱板から切り出した一体の部品とすることにより誤動作を少なくした。また、試料と直結した電極は、二枚の金属板の間に位置するようにし、これらによって構成される2個の電気容量の差をとった。これによって、S/N比を増大することが出来た。電気容量の測定はキャパシタンスブリッヂを用いて0.1秒毎に行い計算器に記憶させ、1時間の測定値の平均値を出力とした。この操作によって、さらにS/N比を増大出来た。
本研究で作成した体積変化測定装置を、米国カルフォルニア大学リバモア研究所の14MeV中性子源RTNS-IIのターゲット室に設置し、Mg【Al_2】【O_4】,【Al_2】【O_3】(a軌およびc軌方向に長さ変化が測定出来るもの)の14MeV中性子照射による体積変化の測定を行った。その結果、Mg【Al_2】【O_4】の体積変化が【Al_2】【O_3】のそれにくらべて小さいこと、また【Al_2】【O_3】の体積変化に異方性があることが明らかとなった。本研究で試作した体積変化測定装置によって、中性子照射下でのその場測定が、【10^(-6)】の精度で可能であることが明らかとなった。電子照射や、高エネルギーイオン照射への応用も可能である。
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Research Products
(2 results)
