1986 Fiscal Year Annual Research Report

マイクロ構造半導体レーザと2次元並列積層光集積回路の研究

Research Project

Project/Area Number	61065002
Research Institution	Tokyo Institute of Technology
Principal Investigator	伊賀健一東京工大, 精密工学研究所, 教授 (10016785)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	小山二三夫東京工業大学, 精密工学研究所, 助手 (30178397)
Keywords	半導体レーザ / 光集積回路 / 微小光学 / 光通信 / 光情報処理
Research Abstract	61年度は、マイクロ構造面発光レーザを実現する上で基盤技術となる3次元微小ヘテロ構造の形成技術の開拓および、平坦な半導体結晶と半導体多層膜を成長するために、現有のGaAlAs/GaAs有機金属気相成長装置の成長条件の把握を中心に行ない、以下の結果を得た。 1.GaAlAs/GaAs系およびGaInAsP/InP系の双方について、湿式化学エッチングと液相成長法による円形埋込み構造の面発光レーザの製作条件を明らかにし、直径1.5μm程度まで再現性良く活性領域の微小化が可能になった。これと誘電体多層膜反射鏡の導入により、低温(77K)での連続発振を初めて実現した。特に、GaAlAs/GaAs系では、理論的に予想されるようにしきい値電流が活性領域の直径の2乗に比例して減少することを実験的に明らかにし、最低しきい値電流6mAを得て、マイクロ構造化による極低しきい値電流動作および室温連続発振の見通しを得た。 2.MOCVD法による結晶表面の平坦な面発光レーザ用DHウェハ及び97%程度の高反射率半導体多層膜の成長条件を明らかにし、液相成長法によるものと同等以上の良質な結晶が得られ、MOCVD法の導入によるマイクロ構造面発光レーザーの低しきい値化の可能性が得られた。さらに、量子井戸構造面発光レーザや光変調器等の機能デバイスへの応用を目的として、厚さ50A程度の量子井戸構造の成長条件を明らかにした。初年度の研究経過としては、ほぼ満足できるものであるが、今年度購入の反応性イオンビームエッチング装置と高精度マスクアライナを用いて、さらに最終的目標である波長の数倍程度までの活性領域の微小化を進めていく予定である。

Research Products
(14 results)

All Other

All Publications (14 results)

[Publications] Seiji Uchiyama: The Transactions of The Institute of Electronics and Communication Engineers of Japan. E69. 587-588 (1986)
[Publications] 木下進: 電子通信学会論文誌. J69-C. 412-420 (1986)
[Publications] Jun Nitta: The Transactions of The Institute of Electronics and Communication Engineers of Japan. E69. 399-420 (1986)
[Publications] Seiji Uchiyama: IEEE Journal of Lightwave Technology. LT-4. 846-851 (1986)
[Publications] Kenichi Iga: Japanese Journal of Applied Physics. 25. 924-925 (1986)
[Publications] Susumu Kinoshita: Japanese Journal of Applied Physics. 25. 1264-1265 (1986)
[Publications] Seiji Uchiyama: The Transactions of The Institute of Electronics and Communication Engineers of Japan. E69. 923-924 (1986)
[Publications] Isao Watanabe: Electronics Letters. 22. 1325-1327 (1986)
[Publications] Kenichi Iga: Electronics Letters. 23. 134-136 (1987)
[Publications] Kenichi Iga: Electronics Letters. 22. 1008-1010 (1986)
[Publications] Kenichi Iga: Applied Optics. 25. 3388-3396 (1986)
[Publications] Xiao-Fan Zhu: Applied Optics. 25. 3397-3400 (1986)
[Publications] Hiroyuki Sugiyama: Japanese Journal of Applied Physics. 25. 1959-1960 (1986)
[Publications] 伊賀健一: "化合物半導体デバイスハンドブック" サイエンスフォーラム, 31 (1986)

1986 Fiscal Year Annual Research Report

マイクロ構造半導体レーザと2次元並列積層光集積回路の研究

Principal Investigator

伊賀 健一 東京工大, 精密工学研究所, 教授 (10016785)

Research Products

[Publications] Seiji Uchiyama: The Transactions of The Institute of Electronics and Communication Engineers of Japan. E69. 587-588 (1986)

[Publications] 木下進: 電子通信学会論文誌. J69-C. 412-420 (1986)

[Publications] Jun Nitta: The Transactions of The Institute of Electronics and Communication Engineers of Japan. E69. 399-420 (1986)

[Publications] Seiji Uchiyama: IEEE Journal of Lightwave Technology. LT-4. 846-851 (1986)

[Publications] Kenichi Iga: Japanese Journal of Applied Physics. 25. 924-925 (1986)

[Publications] Susumu Kinoshita: Japanese Journal of Applied Physics. 25. 1264-1265 (1986)

[Publications] Seiji Uchiyama: The Transactions of The Institute of Electronics and Communication Engineers of Japan. E69. 923-924 (1986)

[Publications] Isao Watanabe: Electronics Letters. 22. 1325-1327 (1986)

[Publications] Kenichi Iga: Electronics Letters. 23. 134-136 (1987)

[Publications] Kenichi Iga: Electronics Letters. 22. 1008-1010 (1986)

[Publications] Kenichi Iga: Applied Optics. 25. 3388-3396 (1986)

[Publications] Xiao-Fan Zhu: Applied Optics. 25. 3397-3400 (1986)

[Publications] Hiroyuki Sugiyama: Japanese Journal of Applied Physics. 25. 1959-1960 (1986)

[Publications] 伊賀健一: "化合物半導体デバイスハンドブック" サイエンスフォーラム, 31 (1986)

伊賀健一東京工大, 精密工学研究所, 教授 (10016785)