1986 Fiscal Year Annual Research Report
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61420009
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| Research Institution | Tohoku University |
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Principal Investigator |
潮田 資勝 東北大, 電気通信研究所, 教授 (90176652)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
水谷 五郎 東北大学, 電気通信研究所, 助手 (30183958)
上原 洋一 東北大学, 電気通信研究所, 助手 (30184964)
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| Keywords | ラマン散乱 / 単一層吸着分子 / 超高真空 / フォトンカウンティング / ダイオードアレー / ニッケル / ニトロベンゼン |
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| Research Abstract |
本年度の成果は以下の三点にまとめられる。
(1)超高真空装置の設計および起動
本年度はラマン散乱測定用の超高真空装置の設計を行い、11月に完成後ただちにターボ分子ポンプによる真空引きを開始した。まもなく、超高真空領域に入る予定である。また、試料ホルダー、吸着子ガス導入系の設計および製作、基板Ni(111)の研磨も終了し、テスト調整ができる準備が整っている。
(2)光学系の設計と製作
微弱光測定の為のラマン分光器周辺の設計、特に、大きな立体角のとれる集光系およびロスの少ないフォトンカウンターへの接続光学系の設計、製作および調整を行い、完成した。またマルチチャンネルダイオードアレーシステムの初期調整も行い完了した。
(3)システムコントロールソフトウェアの開発
分光器駆動装置・フォトンカウンターとコンピューターとのインターフェースおよびそのソフトウェアを開発、完成した。このソフトウェアは、ラマン散乱観測実験のすべてのアルゴリズムをふくんだ全自動システムであり多重平均などの工夫による雑音除去機能および、多くの解析プログラムとの接続機能をもつ。
以上のように、超高真空中でよく規定された表面のラマン散乱測定装置は一通り組上がった。気体のニトロベンゼンを使った性能テストによれば、Ni表面上の単一層のニトロベンゼンからのラマン散乱が観測可能である。62年度は、Ni(111)面上の吸着分子の単一層のラマン散乱の測定をしあわせてシステムの高感度化をはかり、また半導体表面のラマン散乱の実験も行う予定である。
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