1986 Fiscal Year Annual Research Report
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61460126
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| Research Institution | Hosei University |
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Principal Investigator |
原 徹 法政大, 工学部, 教授 (00147886)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
山本 康博 法政大学, イオンビーム工学研究所, 助教授 (50139383)
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| Keywords | シリサイド / タングステン / デンキョク / イオンチュウニュウ / フジュンブツブンプ |
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| Research Abstract |
61年度はCVDタングステンシリサイド,チタンシリサイド,タングステン膜へのイオン注入に関し、下記の研究を行い、新たな知見を得た。
1)これらの膜へ注入した不純物プロフアイルを理論的に求めた。これらの結果から新たにシリサイドおよびメタルへのイオン注入における投影飛程(プロジェクションレンジ)と標準偏差値が得られた。これらの値はVLSIのゲートプロセスに有用である。
2)シリサイドおよびタングステン膜中の不純物プロフアイルをラザフォード後方散乱法によって求めるため、RBSスペクトルシミュレイション手法を確立した。この結果通常スペクトルの重なりが生じるタングステンと注入したひ素不純物のスペクトルを新たに分離できる条件を見出した。
3)最適化した試料を化合気相成長法(CVD法)により作製し、RBS測定を行った。この結果シミュレイションによって得られたスペクトルとほぼ等しいスペクトルが実測により得られた。
4)イオン注入を行った試料で不純物プロフアイルの測定を行った。現在までにほとんど研究が行なわれていないこれらの測定を重点的に行い新たなデータを得る予定である。
これらの研究成果の多くは応用物理学会,国際会議,国内外の欧文誌に発表されている。
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[Publications] 原徹: J.Electrochem,Society. 133. 1489-1491 (1986)
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[Publications] 古川雅一: Japanese J.Appl.Phys.25. 795-797 (1986)
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[Publications] 原徹: Proc.of the 5th symp.Ion Beam Tech.Hosei University. 5. 35-40 (1986)
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[Publications] 原徹: Proc.of the 5th symp.Ion Beam Tech.Hosei University. 5. 29-34 (1986)
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[Publications] 安藤洋章: Proc.of the 5th symp.Ion Beam Tech.Hosei University. 5. 81-86 (1986)
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[Publications] 原徹: Japanese J.Appl.Phys. 26. 94-96 (1987)
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[Publications] 原徹: IEEE Trans.Electron Devices.34,3月号. (1987)
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[Publications] 原徹: IEEE Trans Electron Devices.34,3月号. (1987)
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[Publications] 原徹: J.Electrochem.Soc.134,3月号. (1987)
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[Publications] 山本康博: Nuclear Instrument and Methods in Physics Research. 1319/20. 392-397 (1987)
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[Publications] 小沢和浩: Physical Review A. 33. 3018-3023 (1986)
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[Publications] 加藤樹里: J of Appl.Physics.59. 4186-4188 (1986)
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[Publications] 加藤樹里: J Electron Soc.133. 794-798 (1986)
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[Publications] 山岸晴夫: Jap.J.Appl.Phys. 26. 122-129 (1986)
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[Publications] 原徹: "半導体プロセス用材料" トリケップス, 186 (1987)
