1986 Fiscal Year Annual Research Report
超音波照射下におけるフッ素およびフルオロアルキル基の高選択的導入法
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61550613
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
北爪 智哉 東京工大, 工学部, 助教授 (30092547)
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| Keywords | 超音波 / ラクトン / 光学活性 / 酵素法 |
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| Research Abstract |
超音汲照射下において有用な物質を合成する方法を見い出すことを主眼として研究を進め、Ope-stepで生理活性が期待出来る物質、ラクトン環化合物の合成ルートを開発することができた。この方法においては、超音波を照射しないと反応力進行せず、フッ素化合物を用いるReformatsky型反応の実用的合成法となりうる。
上記の反応は用いる基質(1)ガラセミ体であり、したがって生成してくるラクトン(2)もラセミ体が生成し、生理活性な基質をめざすためには、光学活性なラクトン類の合成法の開発が望まれた。そこで、この方法の応用として光学活性な出発物質を用いることを考え、下式に示した酵素法により光学分割をおこない光学活性な基質(3)を創製した。
この光学活性な基質(3)を利用することにより、目的とする光学活性なラクトンを合成した。
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