ナノメートル・オージエ電子顕微鏡用新型Zr/W-高輝度電子銃の試作

1986 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 61850013
• Research Institution: Osaka University
• Principal Investigator: 志水 隆一 阪大, 工学部, 助教授 (40029046)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 田村 伸昭 日本電子(株), EOD本部, 研究員
• Keywords: 高輝度電子鏡 / TFエミッション / ジルコニウム被覆タングステン

Research Abstract

新型Zr/W-高輝度電子鏡についての基本設計は昨年10月末に終了し、すでに製作されており、本年2月には予備実験ならびに検修実験を完了した。現在までに得られている知見は次の通りである。
(1) Zr/Wエミッターは真空度が【10^(-8)】Torr程度でも十分安定に動作する。
(2) ファセットが生じることによって寿命が短かくなる傾向があるので、この点を考慮した最適加熱温度が設定されるべきであること。
(3) 購入を予定していたFEI社のエミッターの特性のバラツキが著しいこと(日本電子での予備実験)
(4) 来年度FEI社が大巾な値上げを通告してきていること(1ケ15万円から36万円へ)から、エミッターを自作する方向へ方針転換が必要であるとの結論に達したこと。
(5) 上記結論に基づいてエミッターの自作を開始し、〈100〉W-tipへのZrの蒸着を行い、自作への見通しが得られつつあること。
現在進行中の検討事項は次の通りである。
(1) エミッター自作におけるZr蒸着時の真空劣化(【10^(-9)】Torrから【10^(-7)】Torrまで真空が低下する)を防ぐ為の超高真空排気系の整備ーとくにサブリメーションポンプの冷却機構の改善。
(2) Zr蒸着法と平行して、Zr-Wireを〈100〉W-tipに巻きつけたものを超高真空中で加熱して、Zr/W-エミッターを作製する。
(3) Zr/Wエミッターの最適加熱温度の決定ーーエミッション電流と加熱温度についての系統的な実験を行う。
すでに一部の成果は国際会議でも報告しており、研究の進歩状況はきわめて良好である。

Research Products

• [Publications] R.SHIMIZU: Proc.【XI】 Intern.Cong.on Electron Microscopy. 【I】. 215-218 (1986)
• [Publications] R.SHIMIZU: Nuchear Instrument and Methods. B18. 486-495 (1987)
• [Publications] 間瀬比呂志,志水隆一,生田孝: 日本学術振興会マイクロビーム アナリシス第141委員会 第51回研究会資料. No.563. 30-35 (1987)
• [Publications] Ding Ze-Jun;R.SHIMIZU;S.Ichimura: Surface Interface Analysis. (1987)
• [Publications] A.Kurokawa;R.SHIMIZU: Microbeam Analysis-1987. (1987)