1987 Fiscal Year Annual Research Report
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62104003
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
柊元 宏 東京工業大学, 工学部, 教授 (50013488)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
橋爪 弘雄 東京工業大学, 工業材料研究所, 助教授 (10011123)
西野 種夫 大阪大学, 基礎工学部, 助教授 (60029452)
河東田 隆 東京大学, 工学部, 助教授 (90013739)
神谷 武志 東京大学, 工学部, 教授 (70010791)
角野 浩二 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (50005849)
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| Keywords | 格子欠陥 / 転位 / クラスタ / 欠陥準位 / 原子配列 / 原子間結合 |
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| Research Abstract |
GaAlAs, InGaAs, InGaP, GaAsP, InGaAsP等の三元, 四元混晶について有機的な研究を行い, 以下のような成果を得た.
1.欠陥の形態, 構造および動的機構に関する結晶学的評価(分担:角野, 堂山, 橋爪, 小川)転位の発生と移動に対する不純物の効果をX線トポグラフィ, 走査電顕法, および透過電顕法により明らかにした(角野). また, 陽電子消滅の測定により格子欠陥, ポジトロニウム形成に関する知見を得た(堂山). さらに, バルク結晶の成長に関係した欠陥の分布と格子歪みに関して, 準平面波X線回析顕微法および赤外線散乱法により評価を行った(橋爪, 小川).
2.混晶中の原子配置と原子間結合に関する評価(分担:河東田, 箕村, 菊田)レーザラマン分光, および高圧下でのラマン分光によって, 混晶中のクラスター, フォイン, および欠陥原子の安定状態に関する知見を得た(河東田, 箕村). また, 超格子混晶系の原子配列を強力X線源を用いる回析測定により評価した(菊田).
3.欠陥の電子状態をプローブとする混晶の評価(分担:柊元, 西野)混晶特有の欠陥準位の高圧下での容量過度分光測定を通して, 欠陥成因および欠陥近傍の原子配置に関する知見を得た(柊元). また, 遷移金属の形成する深い準位からのフォトルミネッセンス測定により原子配置に関して, またエレクトロリフレクタンス法により混晶における自然超格子に関する情報を得た. (西野).
4.混晶中のキャリヤの挙動の評価(分担:神谷)混晶場中での欠陥とキャリヤの相互作用を超高速光電応答特性の測定により明らかにした(神谷).
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Research Products
(6 results)
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[Publications] S.Shirakata,T.Nishino,Y.Hamakawa: J.Appl.Phys.63. 484-491 (1988)
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[Publications] N.Hara,T.Katoda: Proc.14th Int.Symp.on GaAs and Related Compounds,Crete,Greece,1987.
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[Publications] T.Ogawa: Japan.J.Appl.Phys.26. L1638-L1641 (1987)
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[Publications] I.Minato,H.Hashizume,H.Watanabe,J.Matsui: J.Appl.Phys.25. 1485-1489 (1986)
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[Publications] I.Yonenaga,K.Sumino: J.Appl.Phys.62. 1212-1219 (1987)
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[Publications] M.Kondow,H.Kakibayashi,S.Minagawa,Y.Inoue,T.Nishino,Y.Hamakawa: Proc.4th Int.Conf.on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy,Hakone,1988.
