1987 Fiscal Year Annual Research Report

ホットウォール法による層状物質の薄膜単結晶及び超格子の作成とその光物性

Research Project

Project/Area Number	62460025
Research Institution	The University of Tokyo
Principal Investigator	嶽山正二郎東京大学, 物性研究所, 助手 (20163446)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	三浦登東京大学, 物性研究所, 教授 (70010949) 小松晃雄大阪市立大学, 理学部, 講師 (90047134)
Keywords	ホットウォール / 層状物質 / ファンデアワールスエピ
Research Abstract	本年度は,本研究の最終目的である超格子作成へ向けて,各個別の層状物質のホットウォール法による単結成長の確立をめざした. PbI2については従来から基礎研究を進めていたので,既に, 単結晶エピ成長には成功しているが,更に, ポリタイプの制御に向けて,装置の改良を加え進行中である. 具体的には, ホットウォール装置内ヘッド部の冷却を可能にし, CdI2基板温度を下げる試みを行っている. 更に,PbI2部分の厚みを1000