1987 Fiscal Year Annual Research Report
半導体上金属超薄膜の電子構造と力学的耐久性の内部応力による変化
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62460057
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
金原 粲 東京大学, 工学部, 教授 (90010719)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
馬場 茂 東京大学, 工学部, 講師 (80114619)
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| Keywords | 鉛 / 表面超構造 / 薄膜 / 反射高速電子線回折(RHEED) |
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| Research Abstract |
Si(111)表面の上にPbを1〜3原子層厚だけ蒸着して生じる超構造を反射高速電子線回折(RHEED)で観察した. 実験は10^<-8>Pa程度の超高真空中で行った. Si試料を加熱清浄処理した後に, 毎秒0.01原子層程度のPb分子線を照射すると, 2種類の+ュCP
次は島状膜の成長と内部応力の増大, またスパッタ膜での表面構造の観察を計画している.
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