| Research Abstract |
メタン7%,15%,30%を含む水素ガスを使って,東大逆転磁場装置,REPUTEー1のカーボナイゼーションを行った. グロー放電の電流,電圧は1.5A,450〜500Vで,放電時間は2〜11時間である. REPUTEー1の真空容器壁は,150℃にベーキングしつつ,カーボナイゼーションを行った. ガス圧は5〜10mTorrである. 逆転磁場ピンチでは一般にPumpootと呼ばれる現象であり,プラズマ密度は放電当初より1/3〜1/6程度にまで下るが,カーボナイゼーションをすると,放電中,壁から水素ガスが放出され,Pumpootがなくなる. トカスクブは低密度放電ができなくなり,カーボナイゼーションの欠点とされているが, 逆転磁場ピンチでは正に働いている. プラズマ壁相互作用が主放電に影響を及ぼす典型的な例と言えよう. カーボン膜の厚さを北大工学部との共同研究で測定してもらい,グロー放電の時間と膜厚の関係,カーボナイゼーションの効果が保たれるShot数と膜厚の関係,カーボナイゼーションとループ電圧の関係を実験的に調べている. 北大工学部山科研との共同研究を更に進め,オージェ分析計によるカーボン膜の分析及びカーボナイゼーションをした後に主放電のShotを重ね,カーボン膜の組成の変化を調べ,総合的にカーボナイゼーションの逆転磁場ピンチに及ぼす影響を調べて行く予定である. 63年度ではリミター材として,カーボンタイルを採用し,不純物ラインの測定,放射損失の測定,ループ電圧,プラズマ電流からINPUT POWERの算出を行い,逆転磁場ピンチに最適な壁材を調査して行く予定である. トカマクではカーボンが壁材として,各所で採用されているが,逆転磁場ピンチはトカマクより,プラズマ壁相互作用が強いので,壁材を最適化することが,今後の逆転磁場ピンチの開発研究にとって,急務と言えよう.
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