1988 Fiscal Year Annual Research Report
遠紫外光照射による高分子レジストの自己現象と乾式剥膜
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62470100
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| Research Institution | Chiba University |
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Principal Investigator |
杉田 和之 千葉大学, 工学部, 助教授 (70009273)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
小関 健一 千葉大学, 工学部, 助手 (70092054)
上野 信雄 千葉大学, 工学部, 助手 (40111413)
山岡 亜夫 千葉大学, 工学部, 教授 (60009256)
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| Keywords | レジスト / 光エッチング / 表面光化学反応 / リソグラフィー |
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| Research Abstract |
62年度に設計、試作した光エッチング生成物分析装置の最終完成を行ない、ポロメチルメタクリレート(PMMA)の側鎖のみを励起する紫外(UV)光及び側鎖に加え主鎖も励起可能な真空紫外(VUV)光を用い、真空中、酸素ガス中でのPMMAエッチングの生成物の分析を行った。この結果、UV、VUV光による光エッチング生成物に大きな差異が観測されるとともに、VUV光ではその大きな吸収係数のために、高効率で主鎖切断によるエッチングが進行することがわかった。酸素ガスの光エッチングに対する効果については、反応生成物としてCO_2の増加のみが観測されることから、酸素が切断された側鎖と反応をおこすことさらに、エッチング速度の向上には大きな効果を及ぼさないことがわかった。同様な結果は、PMMAとノナフルオロヘキシルメタクリレートとの共重合体(CFHMA)に対しても得られた。
一方、光エッチングにより高分子膜を完全にかつ高効率で除去するためには、固体表面における光化学反応を用いる必要がある。上記の結果をふまえ、CF_4/O_2プラズマにより生成したFラジカル存在下で、PMMA、CFHMA、シリコン(100)のVUV光によるエッチング実験を種々の条件下で行ない、表面光化学反応が生じていること、及びこの反応にはVUV光が極めて有効であることを明らかにすることができた。
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[Publications] N.Ueno;T.Mitsuhata;K.Sugita;K.Tanaka: Jpn.J.Appl.Phys.27. 1723-1726 (1988)
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[Publications] K.Sugita;N.Ueno;M.Funabashi;S.Saito;S.Nagata/S.Sasaki: Plymer.
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[Publications] N.Ueno;T.Mitsuhata;K.Sugita;K.Tanaka: ACS Symposium Series:Plymers in Microlithography.
