1987 Fiscal Year Annual Research Report
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62540234
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| Research Institution | Niigata University |
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Principal Investigator |
片山 信一 新潟大学, 教養部, 助教授 (30018270)
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| Keywords | 半導体超格子 / 薄膜 / 光学フォノン / ラマン散乱 |
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| Research Abstract |
1.GaAs-Al_xGa_<1-x>As超格子の縦光学フォノンによる光散乱スペクトルの計算
イオン結晶の光学フォノンにたいする連続体近似へ分散性を考慮した「分散性連続体モデル」を基礎に光学フォノンによる光散乱理論を発展させた. 各層界面の境界条件として縦光学フォノンの相対変位場に伴う有効圧力と速度の連続性を仮定した.
変調構造を考慮するため変位場の空間的相関関数を計算し, 光散乱スペクトルの表式に結びつけた. GaAs-(Al_xGa_<1-x>)As超格子に適用し, 実験との比較から次の点を明らかにした;
(1) X=0.1, d_<GaAs>=48〓, d_<AlGaAs>=34〓の計算したスペクトル形状は, 実験で得られたスペクトルとはほぼ良く一致する. しかし強度の点で, 280cm^<-1>付近のAlGaAs様の光学モードについて不一致がある. これは, (AlGa)As層の原子分布の不均一性によって生じたフォノンの幅に起因すると考えられる.
(2)我々の計算の利点は, 超格子各層に閉じ込められたフォノンによる散乱を別々に示せることである. 実験との比較からフォノンの空間的拡りを推定できる.
2.極薄膜半導体超格子のフォノン分散関係
現在, 〈ル〉族半導体の格子振動のWeberモデルを極薄膜超格子系に適用する目的で準備をすすめている. 短距離的ボンド伸縮力とボンド変角力のみを考慮した"価電子力場モデル", 簡単な"線形鎖モデル", 連続的誘電体モデルにもとづいた超格子系のフォノン分散関係を比較検討中である.
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Research Products
(1 results)
