1987 Fiscal Year Annual Research Report
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62540245
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| Research Institution | Kyushu University |
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Principal Investigator |
川口 尚 九州大学, 教養部, 助教授 (70038488)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
篠崎 文重 九州大学, 教養部, 助手 (80117126)
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| Keywords | 超伝導 / アンダーソン局在 / 薄膜 |
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| Research Abstract |
disorderであるが均質な金属超薄膜の超伝導や電子局在を調べるため, 液体ヘリウム温度に保った基板上に, 高真空中で鉛やビスマスやガリウムを蒸着し, 10〓程度の薄膜試料を作成した. . そして, その電気抵抗の温度依存性を, 真空を破ることなく低温に保ったまま, そのまますぐに2.6K以上で測定した. 膜厚依存性(面抵抗依存性)は, 追加蒸着と測定を交互に繰り返すことによって求めた.
得られた主な結果は次のようなことである.
1.超伝導転移温度(Tc)は, すでにこれまでにも報告があるように, 常伝導状態での面抵抗(R^N_□)が大きくなるにつれて減少するが, R^N_□が大きい領域では, これまでの報告より減少の程度が小さい.
また, Tc/Tco(Tcoはbulkの場合のTcの値)のR^N_□依存性は鉛, ビスマス, ガリウムともにほとんど同じになった.
2.面抵抗が約6KΩ以上の超薄膜では, 超伝導の兆候さえ示さず, 面抵抗の温度係数は負であるが, 5〜6KΩ以下になると温度係数は正になる. これは, 超伝導ゆらぎ効果によると思われる. さらに少し面抵抗を小さくすると抵抗が零の超伝導状態を示すようになった.
この特性は鉛とビスマス薄膜で類似しており, 均一な超薄膜に共通した一般的な現象である可能性があるので, 他の金属薄膜でも実験を試みたい.
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