1987 Fiscal Year Annual Research Report
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62550223
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| Research Institution | Shizuoka University |
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Principal Investigator |
助川 徳三 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (30006225)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
木村 雅和 静岡大学, 電子工学研究所, 助手 (50177929)
田中 昭 静岡大学, 電子工学研究所, 助教授 (50022265)
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| Keywords | 比重差液相成長法 / yo-yo溶質供給法 / シリコンの液相成長 / 重金属不純物のゲッタリング効果 / 均質組成をもつ混晶の成長法 / 格子不整合緩和層の成長 / 高輝度発光素子用半導体混晶の成長 / 高感度なフォトダイオード |
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| Research Abstract |
本研究は重力ならびに溶媒と溶質との間の比重差を利用した新しい液相成長法の開発を目的としてなされた. 特に本成長法を, 電子デバイスの構成材料の中心となっているSiや, 将来より重要となるIII-V族化合物混晶半導体に適用して, 従来の成長技術では達成できないような機能半導体を成長して, 種々の高性能電子デバイスの製作プロセスの確立を図るものである.
1.Siの成長:Siの成長に用いる溶媒として比重がSiの3倍程度大きなInおよびSnを採用して成長実験をおこなった. その結果, (1)種子結晶基板を上にそして原料結晶基板を下に, それぞれの面が水平になるように相対して配置し, その両者の間にSn-SiまたはIn-Si溶液を充しさらにその溶液の温度をある振幅で周期的に変化させて成長をおこなうことによって所望の成長層が得られるようになった. (2)不純物無添加の高抵抗基板上に不純物高濃度添加の層を成長することによって急峻な不純物濃度分布をもつL-H接合が形成できた. (3)金を添加した基板を用いて成長をおこない, 成長後基板に残留する金の濃度を調べたところ, まったく金を検出できず, 本成長法が結晶中に含まれる重金属のゲッタリング効果を有することを見い出した. (4)本成長法を用いて, pinフォトダイオードを試作したところ, 高感度の光応答が得られた. 以上によって本成長法の有効性が確認できた.
2.III-V族化合物混晶の成長:高周波用デバイス材料として重要なInGaAs混晶と, 高速・高輝度発光デバイス用材料として有望であるInGaP混晶の成長技術の開発をおこなった. (1)まず, InAsならびにGaAs基板上へのInGaAs混晶の成長を試み, 格子不整合を緩和するための組成勾配層ならびに一定組成をもつInGaAs層の成長技術を確立した. (2)InGaP混晶については, 所定の組成をもつ原料用のInGaPインゴットの製作技術と, GaP基板上へのInGaP層の成長技術を確立した.
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[Publications] 助川徳三: 静岡大学電子工学研究所報告. 21. 119-128 (1987)
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[Publications] 木村雅和: 電子情報通信学会技術報告. 87. 45-50 (1987)
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[Publications] 木村雅和: 日本学術振興会薄膜第131委員会第140回研究会資料. 13-18 (1987)
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[Publications] 助川徳三: 電子情報通信学会技術報告. 87. 8-15 (1987)
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[Publications] 林淳: 静岡大学大学院電子科学研究科. 9. (1988)
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[Publications] 助川徳三: 静岡大学電子工学研究所報告. 22. 55-70 (1988)
