1987 Fiscal Year Annual Research Report
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62609511
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
八木 克道 東京工業大学, 理学部, 教授 (90016072)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
西川 治 東京工業大学, 総合理工学研究科, 教授 (10108235)
高柳 邦夫 東京工業大学, 理学部, 助教授 (80016162)
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| Keywords | 表面顕微鏡 / 光電子顕微鏡 / シリコン表面 / アトムプローブ / STM / 反射電顕法 / 表面エレクトロマイグレーション |
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| Research Abstract |
本研究は, (1)電子, 光電子顕微鏡法の開発とその表面研究への応用, (2)STM型電子顕微鏡法による表面に局存した電子状態の観察, (3)FIMによる吸着膜の構造の観察の3つよりなる. それぞれ今年度は計画の年であるので, 今年度の実績は既存の研究装置による研究成果である. 八木らは, SiCIII)面に酸素をさらしたときの表面構造の変化を調べ, SiOの形成と界章によるくぼみ形成から表面拡散に関する知見を得た. またPt上に成長したAu層のコントラストを動力学回折理論を用いて解析した. その結果コントラストはPtPy間に比べてPt-Au層間の間隔が広いためであることが解った. 一方, 重点領域へ他の研究者との協力を得て表面エレクトロマイグレーションの反射電顕法による観察を行い, Auの場合5×1構造が電流と逆方向にしTuの場合5×1構造が電流の方向に移動するのが観察された. 高柳らは, 反射電顕法を用いて相変態, 吸着過程を調べた. 特にPdの^<83>構造はTuBt層となっていることをはじめて見い出した. 一方現在開発中のSTMについては原子しベルの分確能があることを確認している. 西川らはポリピロールの酸化のミクロプロセスをアトムプローブFIMで解析して新しい知見をえている.
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Research Products
(4 results)
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[Publications] 八木 克道: J.Appl.Crysy.20. 147-160 (1987)
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[Publications] 八木 克道: Surface Sci.191. 28-44 (1987)
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[Publications] 高柳 邦夫: Jpn.J.Appl.Physis. 26. L957-L960 (1987)
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[Publications] 西川 治: J.Chem.Phys.85. 6758-6764 (1986)
