1989 Fiscal Year Annual Research Report

表面弾性波巨大減衰素子用強磁性薄膜材料の開発研究

Research Project

Project/Area Number	62850130
Research Institution	TOHOKU UNIVERSITY
Principal Investigator	藤森啓安東北大学, 金属材料研究所, 教授 (60005866)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	丹治雍典株式会社トーキン, 第一開発本部, 技術部長神垣知夫富山大学, 教養部, 教授 (20005846) 金子武次郎東北大学, 金属材料研究所, 助教授 (70005883) 森田博昭東北大学, 金属材料研究所, 助教授 (50005914) 吉田肇東北大学, 金属材料研究所, 助手 (90005950)
Keywords	表面弾性波 / 表面弾性波巨大減衰効果 / 表面弾性波デバイス / スパッタ-法多層膜 / アモルファス磁性膜 / 交流帯磁率 / 磁化ル-プ / 保磁力
Research Abstract	200Åニッケル膜を表面弾性波デバイスに蒸着すると20〓のバイアス磁場で表面弾性波を40dB/cmも減衰させる巨大減衰効果が見い出されている。これより巨大な減衰効果を得るため200Åニッケル膜をタングステン膜で挾んだ多層を作り、交流帯磁率と表面弾性波の伝播の磁場依存を調べた。その結果、ほゞ多層膜の層数に比例して減衰効果が大きくなることが分り、より一層の巨大減衰効果をもつデバイスの開発の可能性があることを明らかにした。更にその実用化のためには微少なバイアス磁場で制御可能な磁性膜の開発が要求される。本年度は軟磁性材料であるアモルファス磁性膜に注目し、まずZr系アモルファス(Fe_<1-x>Cox)_<85>Zr_<15>の薄膜を作成し、その磁気特性を調べた。また、基板にはホトセラムと石英を用い基板依存も同時に調べた。アルゴンガス圧が1×10^<-3>Torr以下の条件で作ると保磁力は1〓以下となり、しかもニッケル膜より大きい交流帯磁率のピ-クを持つことが分り、所期の目的のアモルファス磁性膜を得ることが出来た。以上の様に目標の特性を有する磁性膜が得られたので実用化へのステップとして、基板に電気機械結合係数が水晶より大きいリチュウム・タンタレイト(LiTaO_3)を用いた表面弾性波デバイスを設計し、富士通の協力を得て、200、500、700、900MHzの四種類のサイズ100mm×5mmのものを作った。但し、電極がすぐ破壊されるという問題点が判明し、この点を回避するため従来の実験システムの改良が必要となった。検討の結果、上記の問題はスパッタ-時の作成冶具や減衰量測定用基板冶具を改良することによって解決し得る見通しが出来、現在進行中である。この研究過程で、角型の磁化ル-プを描く多層ニッケル膜の作成条件を得、これが膜の島構造と密接な関係があることが分り、この基礎的研究も進めている。

Research Products
(1 results)

All Publications (1 results)

[Publications] H.Yoshida,H.Fujimori,T.Kaneko,S.Abe and H.Morita: "Attenuation of Surface Acoustic Wave throgh Sputtered Multi-Layered Nickel Films" JOURNAL DE PHYSIQUE. C8. 1795-1796 (1988)