1988 Fiscal Year Annual Research Report
直流電場中でのII-IV族半導体結晶の成長とその評価
Project/Area Number |
63550019
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Research Institution | Nagasaki University |
Principal Investigator |
岩永 浩 長崎大学, 教養部, 教授 (40039772)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
望月 勝美 東北大学, 工学部, 助教授 (30089792)
富塚 明 長崎大学, 教養部, 助手 (70164027)
柴田 昇 長崎大学, 教養部, 教授 (40039756)
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Keywords | CdS / CdTe / CuCl / 電場 / 極性 / モルフォロジー |
Research Abstract |
1.直流電場中で成長したCdS結晶の極性 直径40mmの石英管の外側に円筒状電極を巻き、石英管の中にはCdS粉末を入れたアルミナボートを置き、その上に中心電極として直径0.3mmの白金線を張る。円筒状電極は常にアースし、中心電極線に正、負の与えた雰囲気内で結晶成長を行った。CdSの粉末の温度を950℃に保ち、昇華したCdS蒸気をArガスの流れによって成長域に導くと、中心電極線上にCdS結晶が成長する。HCl腐食液を用いたエッチングにより、中心電極線に正電圧(+1KV)をかけたときは-C成長のCdS結晶が成長し、負電圧(-1KV)のときは+C成長の結晶が成長した。この外、アルミナボート壁には双晶ウィスカーが成長した。透過電顕で観察した結果、(101^^ー1)、(2241)(123^^ー1)を接合面にもつ三つのタイプの双晶結晶が得られた。 2.電場中で成長するCuCl結晶の極性 CuCl結晶を昇華法により電場なしで成長させた場合には〔112〕方向に成長した樹枝状結晶が成長したが、CdSの場合と同じ方法で、電場中で成長させた場合には〔100〕方向に成長した樹枝状結晶が得られた。 3.電場中で成長したCdTe結晶のモルフォロジーと極性 CdTe粉末を昇華させ、電場中でCdTe結晶を成長させた。その結果、リーフ状の樹枝状結晶が成長し、その結晶のモルフォロジーはSEMを用いて詳しく観察し、リーフ状結晶の表面は極性面{111}で構成されていたので、E・Ag-1と呼ばれる腐食液によりエッチングした結果、(1^^ー1^^ー1^^ー)Bであった。 4.購入したCCDカメラを用いて、成長実験の直接観察を行った。 CdSとCdTeの結晶成長の直接観察をCCDカメラを用いて行った。
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Research Products
(5 results)
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[Publications] A.Tomizuka.;H.Iwanaga.;N.Shibata.: J.Crystal Growth. 91. 123-127 (1988)
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[Publications] M.Fujii.;H.Iwanaga.;N.Shibata.: J.Crystal Growth. 91. 229-233 (1988)
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[Publications] H.Iwanaga.;N.Shibata.;S.Takeuchi.: J.Materials Science Letters.
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[Publications] H.Iwanaga.;A.Tomizuka.;N.Shibata.: J.Crystal Growth.
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[Publications] H.Iwanaga.;A.Tomizuka.;N.Shibata.: J.Crystal Growth.