1989 Fiscal Year Annual Research Report
ホモエピタキシ基板用セレン化亜鉛単結晶の高圧溶融法による育成
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63550025
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| Research Institution | Okayama University of Science |
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Principal Investigator |
大森 健三 岡山理科大学, 理学部, 教授 (30068895)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
斉藤 博 岡山理科大学, 理学部, 教授 (20013526)
大石 正和 岡山理科大学, 理学部, 教授 (40068911)
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| Keywords | セレン化亜鉛単結晶 / 高圧溶融法 / ブリッジマン法 / ボロンナイトライド / パイロリティックボロンナイトライド |
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| Research Abstract |
我々は高圧溶融法でセレン化亜鉛(ZnSe)単結晶を育成し、これを母体結晶とした青色領域の発光素子開発の基礎研究を行ってきた。ZnSeを基板に用い分子線エピタキシ法による高純度の半導体薄膜結晶を育成し、発光素子開発のための物性制御上の基礎デ-タを得る研究の一環で、特に、ホモエピタキシ薄膜結晶用に使用する高圧溶融法によるZnSeの単結晶育成条件の諸問題を中心に研究を行ったものである。
1.ボロンナイトライド(BN)製るつぼを使用し、BN製るつぼ内に液体封止剤の挿入した場合……液体封止剤Caf_2・KF+MgF_2等をBN製るつぼの上端部へ挿入しZn、Seの蒸発防止、偏析防止等の効果を数回実験したが、封止剤がZnSeと反応してガラス状の封止の役目を果さず、結晶を得るには至らなかった。2.BN製るつぼの上端部に液体封止剤の代わりにスパッタ-タゲット用高純度タングステンのペレット状の蓋をした場合……外見状上端部に黒っぽい偏析層が出来、結晶の中心部に、ボイドが形成されているものも幾つか育成された。降下速度等結晶育成条件を検討してみたが、良質な結晶が得られなかった。3.バイロリティック・ボロンナイトライド(PBN)製るつぼ下端部細孔を空けないものを使用し、電気炉内に挿入するためにBN製るつぼを使用した場合……単結晶が出来なかった。4.PBN製るつぼ下端部細孔を空けたものを使用し、電気炉内に挿入するためにBN製るつぼを使用した場合……るつぼ先端角30ﾟ、45ﾟ、るつぼ降下速度を2.5、5.0、7.5、10.0mm/hの8種類の結晶育成し比較検討中です。単結晶領域の大きい辟開面を持つ結晶がるつぼ先端45ﾟで降下速度7.5mm/hの条件で育成出来た。5.PBN製るつぼ下端部細孔を空けたものを使用し、BN製るつぼの代わりにカ-ボン製るつぼの側面に穴を空けたものを使用した場合……4.と同じ条件の8種類の結晶育成実験を進めている。
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[Publications] M.OHISHI,K.OHMORI,Y.FUJII,H.SAITO and S.R.TIONG: "HOMO-EPITAXIAL GROWTH OF ZnSe BY MBE" J.Crystal Growth. 86. 324-328 (1988)
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[Publications] M.OHISHI,M.HIRAMATSU,K.OHMORI,H.SAITO and S.RTIONG: "EXCITATION SPECTROSCOPY OF DONOR-ACCEPTOR DAIR LUMINESCENCE IN ZnSxSel-x" J.Luminescence. 40/41. 123-124 (1988)
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[Publications] M.OHISHI,H.SAITO,H.OKANO,and K.OMORI: "PHOTO-ASSISTED MBE GROWTH OF ZnSe CRYSTALS" J.Crystal Crowth. 95. 538-542 (1989)
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[Publications] H.SAITO,M.OHISHI,A.WATANABE and K.OHMORI: "STRAIN-INDUCCED SPLITTING OF FREE EXITON BAND IN EPITAXIALLY GROWN ZnSe" J.Crystal Growth.
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[Publications] 今井和明、熊崎賢次、小田島晟、芳賀哲也、阿部寛、大石正和、斉藤博、大森健三: "紫外光照射下でMBE生長させたZnSe単結晶薄膜" 北海道工業大学研究紀要. 18. (1990)
