1988 Fiscal Year Annual Research Report
光励起過程を利用したリン化インジウム表面物性の制御と電子素子への応用
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63550239
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| Research Institution | Aoyama Gakuin University |
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Principal Investigator |
國岡 昭夫 青山学院大学, 理工学部, 教授 (50082756)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
中田 時夫 青山学院大学, 理工学部, 主管助手 (90082825)
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| Keywords | InP / MIS / 光CVD / SiNx絶縁膜 / 界面準位密度 |
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| Research Abstract |
電子移動度、飽和速度が大きいInPを構成材料としたMISFET作製のため、その基盤技術の一つとしてプロセスの低温化および無損傷化に対応できる光CVD法によってゲート絶縁膜SiNxを得、プロセスパラメータとSiNx膜物性の評価を行い次の成果を得た。
1.本年度補助金により購入されたマスフロコントローラにより、原料ガス流量が明かとなり、XPS、EPMA、FTーIRによる評価でSiH_4/NH_3が小さいほど化学量論的組成に近づくことが分かった。
2.SiNx膜の堆積速度は基板温度(30〜350℃)上昇に伴い、わずかながら直線的に大きくなった。またSiH_4/NH_3比依存性は比が大きくなるにつれ見かけ上増加し、FTーIRからシリコンリッチの膜が得られており、膜質は低下した。
3.SiNxーInPの界面特性を求めるため、SiNx膜を上記1、2の結果を踏まえてMISダイオードを作製し、その容量ー電圧特性をもとにターマン法を用いた解析で、界面準位密度は基板温度が高く流量比が小さいほど低く、3×10^<11>cm^2eV^<-1>が得られた。
4.InP上に形成する絶縁膜としてInP自体の窒化物を取り上げ、InP表面と窒素を直接反応させる手段として窒化プラズマと光CVDを行い、窒化プラズマにおいてInP窒化膜が形成されることが確認できた。
5.InP基板の前処理は通常の化学エッチングを行ったが、今後PCl_3ガスによる表面処理について検討する必要がある。
6.MISダイオードの界面準位密度をquasi-static容量ー電圧特性から算出し、ターマン法と比較検討する。
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Research Products
(2 results)
