1988 Fiscal Year Annual Research Report
変調ドープ超格子構造を有する新しい光導電デバイスの開発と光サンプリングへの応用
| Project/Area Number |
63850075
|
|---|
| Research Institution | The University of Tokyo |
|---|
Principal Investigator |
荒川 泰彦 東京大学, 先端科学技術研究センター, 助教授 (30134638)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
茅根 直樹 日立製作所, 中央研究所, 主任研究員
藤井 陽一 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (00013110)
榊 裕之 東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 (90013226)
|
|---|
| Keywords | p型変調ドープ超格子 / 超高速光導電型スイッチ / 量子井戸構造 / MOCVD結晶成長 / 光サンプリング |
|---|
| Research Abstract |
情報化社会の高度な発展にともない、大容量情報通信や超高速情報処理への期待はますます高まっているが、このような社会の実現のために光技術のもつべき役割はますますその重要性を増している。特に近い将来極短光パルス列を利用した超高密度光情報伝送や情報処理が重要である。この際重要なキーデバイスが半導体レーザと光検出器である。半導体レーザでは最近1ピコ秒オーダのパルスがえられているが、光検出器は数十ピコ秒の応答速度に留まっている。
本研究はこのような限界を乗り越えるためにp型不純物を選択的にドープした超格子構造(変調ドープ超格子)を有する新しい超高速光導電デバイスを試作することを目的としている。このデバイスでは電子が少数キャリアであり、かつ不純物散乱を避けることができるため本質的に速い応答特性(10ピコ秒以下)を期待することができる。さらに、サルプリングオシロスコープやスペクトラムアナライザの限界を乗り越えるものとして最近注目を集めている高速光サンプリングシステムを、このデバイスをサンプリングヘッドとして用いて開発する。
本年度は(1)MOCVD装置を立ち上げ、優れた量子井戸構造を作製し、比較的閾値電流の低い量子井戸レーザを発振させることに成功した。(2)この結晶成長装置を用いてp型の変調ドーピングを試み、基礎データを得た。この結果は光導伝デバイス作製の上で極めて重要なものとなる。(3)光導伝型スイッチを試作し、光サンプリングシステムの基本設計に必要なデータを得た。
このように第一年度においては高性能光導伝デバイスを実現する上での基礎技術の確立や基礎データの蓄積をほぼ計画通り行うことができた。次年度はこれらの成果をふまえデバイスを実現し、その性能の評価を行なう予定である。
|
-
[Publications] T.Sogawa;Y.Arakawa;M.Tanaka;H.Sakaki: Applied Physics Letters. (1988)
-
[Publications] H.Shoji;Y.Arakawa;Y.Fujii: Trans.of IEICE,Japan. E71,7. 643-645 (1988)
-
[Publications] Y.Arakawa;T.Takahashi;K.Vahala: IQEC'88. (1988)
-
[Publications] H.Shoji;Y.Arakawa;Y.Fujii: Electronics Letters. 24,14. 888-889 (1988)
-
[Publications] T.Takahashi;Y.Arakawa: Optoelectronics---Devices and Technologies---. 32. 155-162 (1988)
-
[Publications] T.Sogawa;Y.Arakawa;T.Kamiya: Ultrafast Phenomena VI. 70-72 (1988)
-
[Publications] 荒川泰彦: "光情報材料ー材料工学編ー" 丸善, (1988)
-
[Publications] 荒川泰彦: "超格子ヘテロ構造デバイス" 工業調査会, (1988)
