1988 Fiscal Year Annual Research Report
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63880003
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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| Research Institution | Tokai University |
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Principal Investigator |
高田 一男 東海大学, 開発技術研究所, 教授 (20023690)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
福井 了太 日本真空技術, 技術開発部, 主任
高木 憲一 日本真空技術, 技術開発部, 室長
利根川 昭 東海大学, 理学部・物理学科, 助手 (90197905)
砂子 克彦 東海大学, 理学部・物理学科, 助教授 (50056016)
矢部 栄二 東海大学, 開発技術研究所, 助教授 (70056018)
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| Keywords | ホロー陰極 / ダブルホロー陰極 / イオン源 / 高融点金属 / スパッタリング |
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| Research Abstract |
昭和63年度は、主として新型ダブルホロー陰極イオン源の基礎実験と、装置(90度型質量分析装置)の大型化の設計製作を行った。
1.新型ダブルホロー陰極型金属イオン源を開発した目的は、旧型ホロー陰極イオン源のガス効率が低い弱点を取り除き、金属イオンの生成比を向上させるためである。このイオン源の特微は、1)主放電を維持するための第1ホロー陰極と陽極以外に、狭い放電路を備えた第2ホロー陰極をその間に挿入したこと、2)またこの放電路に沿った局所的磁場を印加したことである。
2.これにより以前のイオン源と比較してガス効率は数倍程度向上した。また第2ホロー陰極に放電電圧以上の負の電位(〜1kV)を任意に印加し、金属イオンの生成を独立に制御する新しい方法も考案した。
3.さらに金属イオンの生成比を高めるため、外部磁場の印加方法に関し数種類のモデル実験を行い、金属イオンを増加させるために適切な磁場分布と磁気回路を求めた。また実際に実験を行った結果、金属イオンの割合は磁場を印加しない場合と比較し約3倍程度向上した。
4.現在高融点金属イオンビームは、Moイオンで100μA、Cuイオンで300μA程度得られている。金属イオン電流値は、磁場強度および放電電流を増加させることによりさらに増加させることができる。
5.装置の大型化・大電流化のため大容量の絶縁トランスの購入、90度型質量分析器の設計製作を行った。
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[Publications] S.Kogure;T.Shimoyama;A.Tonegawa;K.Takayama;R.Fukui;K.Takagi: The 7th International Conference on Ion Implantation Technology-IIT'88-. 1. 50 (1988)
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[Publications] 利根川昭、木暮重幸、高山一男: 電気学会・プラズマ研究会資料 EP-88-85. 1. 103-114 (1988)
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[Publications] 木暮重幸,利根川昭、下山浩一、高山一男: プレーティングとコーティング. 1No.6. 330-333 (1988)
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[Publications] 利根川昭、木暮重幸、田口泰一、高山一男: プレーティングとコーティング. 1No.6. 302-306 (1988)
