2016 Fiscal Year Annual Research Report
Observation of new kinds of quantum transport in high mobility graphene using BN
Publicly Offered Research
Project Area | Science of Atomic Layer Systems |
Project/Area Number |
16H00899
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Research Institution | Chiba University |
Principal Investigator |
青木 伸之 千葉大学, 大学院融合科学研究科, 准教授 (60312930)
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Project Period (FY) |
2016-04-01 – 2018-03-31
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Keywords | グラフェン / 窒化ホウ素(BN) / 量子伝導現象 / 高移動度化 / 低温磁気伝導 / 垂直電場印加 / バンドギャップ形成 / バリスティック伝導 |
Outline of Annual Research Achievements |
グラフェンで未だに実現されていない量子構造の一つに量子ポイントコンタクト(QPC)がある。 その原因の一つは「意外に高移動度化が難しい」ことであり,もう一つは「電場による閉じ込めが 効かない」というグラフェンに特有の問題が挙げられる。本研究では窒化ホウ素(BN)と2層グ ラフェン(BLGr)によりこれら2つの問題を打開し,グラフェンにおける新しい量子伝導現象観 測の道を切り拓くことを目的とする。 本年度は,グラフェン電界効果トランジスター(FET)の高移動度化を目指し、韓国・ 成均館大学のグループと協力してBN/Gr/BN 積層構造の作製を進めた。その結果、低温での移動度がおよそ100000 cm2/Vsにまで達することができ,準バリスティック領域における伝導現象を議論することができるようになった。この領域でも低磁場では量子伝導度ゆらぎが観測され,そのゆらぎの特徴について解析を進めた。グラフェンにおける伝導度ゆらぎの特徴として、ゲート電圧に対するゆらぎ(ゲートゆらぎ)と、印加磁場に対するゆらぎ(磁気ゆらぎ)の振幅が異なるといったエルゴード性の破れが指摘されてきたが、本研究で得られた準バリスティック系での伝導度ゆらぎにおいても同様の違いが観測され、そのような特徴がグラフェンに特有の現象であることが実証された。また、0.5T以上の磁場範囲においては明瞭なシュブニコフ-ド・ハース振動が観測され、その解析からBNを用いた試料における有効質量や緩和時間の議論を行った。 一方で、2層グラフェン(BLGr)に対する垂直電場印加による閉じ込め構造の形成については、十分な電場印加を実現することができるようになったが、バンドギャップの形成を示唆するような実験結果を得るには至らなかった。今後試料作製プロセスを見直し、バンドギャップ形成による量子閉じ込め効果の発現を目指して研究を進めていく。
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Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
3: Progress in research has been slightly delayed.
Reason
本研究の目的は、BNをグラフェンの上下層に用いることで高移動度化を実現することと、BLGrに対して垂直電場を印加することで空乏層を形成し、それらによって形成される量子閉じ込め構造における特徴的な伝導現象を観測することにある。そのため、前提となるグラフェンの高移動度化については、作製プロセスを概ね確立し、ディラックポイントが0V付近に位置した、100000 cm2/Vs程度の準バリスティック試料が作製できるようになった。一方で、BLGrに対する垂直電場印加によるバンドギャップ形成を目指し、試料を作製し、低温までの特性を取ったところ、5 V/nm程度の強電界を印加しているにもかかわらず、ディラックポイントの抵抗値の上昇は10 kΩ程度にとどまる結果となった。このように、バンドギャップ形成ができない原因については調査中であり、一刻も早い解決を行い、電界閉じ込め構造の作製に移りたいと考えている。
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Strategy for Future Research Activity |
BLGrに対する電場による閉じ込め構造形成技術の確立と量子多体効果の観測をめざし、BN をBLGrの上下に用いた、垂直電場印加が可能なデュアルゲート構造を形成し、バンドギャップの形成を低温で確認する。その後、プロセスを発展させ,BLGrをチャネルとしたスプリットゲート型QPC の作製に取りかかる。スプリット型トップゲートを形成し,バックゲートとトップゲート間の電場を利用して,2層グラフェンに垂直電場を印加することで,ゲート電極直下のグラフェンを完全に空乏化させることができると考えられる。これによりナノリボン化すること無く電気的に1次元狭窄領域を形成できるようになり,明瞭な伝導度の量子化が観測されると期待している。その後,0.7 構造やスピン依存伝導の観測やSGM を用いたグラフェン上の伝導経路等のイメージングを進めていく。
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[Journal Article] Shubnikov-de Haas measurements on a high mobility monolayer graphene flake sandwiched between boron nitride sheets2017
Author(s)
Naoki Matsumoto, Masaaki Mineharu, Masahiro Matsunaga, Chiashain Chuang, Yuichi Ochiai, Kenichi Oto, Gil-Ho Kim, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, David K Ferry, Carlo R da Cunha and Nobuyuki Aoki
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Journal Title
Journal of Physics: Condenced Matter
Volume: 29
Pages: 225301-1-6
DOI
Peer Reviewed / Int'l Joint Research
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[Journal Article] Conductance fluctuations in high mobility monolayer graphene: Nonergodicity, lack of determinism and chaotic behavior2016
Author(s)
C. R. da Cunha, M. Mineharu, M. Matsunaga, N. Matsumoto, C. Chuang, Y. Ochiai, G.-H. Kim, K. Watanabe, T. Taniguchi, D. K. Ferry, and N. Aoki
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Journal Title
Scientific Reports
Volume: 6
Pages: 33118-1-8
DOI
Peer Reviewed / Open Access / Int'l Joint Research / Acknowledgement Compliant
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[Journal Article] Thermally Assisted Nonvolatile Memory in Monolayer MoS2 Transistors2016
Author(s)
G. He, H. Ramamoorthy, C.-P. Kwan, Y.-H. Lee, J. Nathawat, R. Somphonsane, M. Matsunaga, A. Higuchi, T. Yamanaka, N. Aoki, Y. Gong, X. Zhang, R. Vajtai, P. M. Ajayan, and J. P. Bird
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Journal Title
Nano Letters
Volume: 16
Pages: 6445-1-7
DOI
Peer Reviewed / Int'l Joint Research / Acknowledgement Compliant
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[Journal Article] Nanoscale-Barrier Formation Induced by Low-Dose Electron-Beam Exposure in Ultrathin MoS2 Transistors2016
Author(s)
Masahiro Matsunaga, Ayaka Higuchi, Guanchen He, Tetsushi Yamada, Peter Kruger, Yuichi Ochiai, Yongji Gong, Robert Vajtai, Pulickel M. Ajayan, Jonathan P. Bird, and Nobuyuki Aoki
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Journal Title
ACS Nano
Volume: 10
Pages: 9730-1-8
DOI
Peer Reviewed / Int'l Joint Research / Acknowledgement Compliant
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[Presentation] グラフェンにおける量子閉じ込め現象に関する検討2017
Author(s)
松本直樹, 峰晴正彰, 荒川友貴, 松永正広, 落合勇一, D.K.フェリー, J.P.バード, 渡邊賢司, 谷口尚, I.リー, G-H.キム, 青木伸之
Organizer
日本物理学会第72回年次大会
Place of Presentation
大阪大学豊中キャンパス
Year and Date
2017-03-17 – 2017-03-20
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[Presentation] 電子線リソグラフィによる単層MoS2への歪み導入2017
Author(s)
松永正広, 樋口綾香, He Guanchen, 山田哲史, Kruger Peter, 落合勇一, Bird Jonathan P., 青木伸之
Organizer
第64回応用物理学会春季学術講演会
Place of Presentation
パシフィコ横浜
Year and Date
2017-03-14 – 2017-03-17
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[Presentation] 高移動度グラフェンにおける伝導度ゆらぎ2016
Author(s)
松本直樹, 峰晴正彰, 松永正広, C R da Cunha, 落合勇一, D Kフェリー, JPバード, 渡邊賢司, 谷口尚, Iリー, G-Hキム, 青木伸之
Organizer
日本物理学会2016年秋季大会
Place of Presentation
金沢大学
Year and Date
2016-09-13 – 2016-09-16
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[Presentation] Shubnikov-de Haas oscillations observed in High-Mobility Monolayer Graphene Encapsulated by h-BN2016
Author(s)
Masaaki Mineharu, Masahiro Matsunaga, Naoki Matsumoto, Caelo da Cunha, Chiashain Chuang, Yuichi Ochiai, Inyeal Lee, Gil-Ho Kim, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, David K. Ferry, Jonathan P. Bird and Nobuyuki Aoki
Organizer
Compund Semiconductor Week (CSW2016)
Place of Presentation
Toyama
Year and Date
2016-06-26 – 2016-06-30
Int'l Joint Research
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