2017 Fiscal Year Annual Research Report
SOIピクセル検出器による自己像直接検出型タルボ・ロー干渉計の高度化
Publicly Offered Research
| Project Area | Interdisciplinary research on quantum imaging opened with 3D semiconductor detector |
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| Project/Area Number |
16H00948
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
志村 考功 大阪大学, 工学研究科, 准教授 (90252600)
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| Project Period (FY) |
2016-04-01 – 2018-03-31
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| Keywords | X線 / 放射線検出器 / 位相イメージング / 干渉計 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
1895年にX線がレントゲンによって発見されて以来、X線透視撮影は医療やセキュリティ、非破壊検査など様々な分野で活用されてきたが、軽元素材料などはX線に対して比較的透明であり、十分なコントラストが得られないという問題がある。X線位相、小角散乱イメージングはこの欠点を克服し得る技術として各方面からその発展が期待されており、実験室系の装置で測定可能なX線タルボ及びタルボ・ロー干渉計が注目を集めている。そこで本研究課題では、SOIピクセル検出器を適用することにより、自己像直接検出型X線撮像法の性能を飛躍的に向上させることを目指す。SOIピクセル検出器の特徴を生かした新規な測定法の実証を目的とする。
本年度は、前年度の結果を進展させ、１回の測定で多波長の吸収像、位相微分像、小角散乱像を同時に取得できることを示した。対象とする被写体の成分、形状、大きさなどにより適切なX線エネルギーは異なる。従来は条件を変えて複数回測定することにより、条件を最適化していたが、本手法を用いれば１回の測定の後、適切なX線エネルギーを選択することが可能であり、材料評価に非常に有用である。また、チャージシェアリング解析を適用することにより、位相微分像の感度が30％以上に向上することや従来、測定できなかった高分解能配置での小角散乱像を取得できることを示した。さらに、サブピクセル解析を用いることによりその小角散乱像の定量測定を行い、多層膜ターゲットと併用することで材料識別の精度が向上することを示した。
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| Research Progress Status |
29年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
29年度が最終年度であるため、記入しない。
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[Presentation] Improvements of Grating-based X-ray Phase Contrast Imaging with a Microfocus X-ray Source by a SOI Pixel Detector, SOPHIAS2017
Author(s)
R. Hosono, D. Tsukamoto, T. Kawabata, K. Hayashida, T. Kudo, K. Ozaki, T. Hatsui, N. Teranishi, T. Hosoi, H. Watanabe, T. Shimura
Organizer
11th International "Hiroshima" Symposium on the Development and Application of Semiconductor Tracking Detectors (HSTD11) in conjunction with 2nd Workshop on SOI Pixel Detectors (SOIPIX2017)
Int'l Joint Research
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