2009 Fiscal Year Annual Research Report
InAs系スピントランジスタの非弾性領域での動作実証
Publicly Offered Research
| Project Area | Creation and control of spin current |
|---|
| Project/Area Number |
21019001
|
|---|
| Research Institution | Hokkaido University |
|---|
Principal Investigator |
陽 完治 Hokkaido University, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 教授 (60220539)
|
|---|
| Keywords | マグネタイト / スピン注入 / ハーフメタル / スピネル構造 / MBE |
|---|
| Research Abstract |
インジウム砒素系のヘテロ構造へのスピン注入、ゲートによるスピン操作を実現するためのデバイスプロセスを完成し、スピンポテンシャルの非局所測定ができるところまでこぎ着けた。強磁性体電極間隔は電子線露光を用いてサブミクロンから数ミクロンまで振っても十分にノンアロイのオーミック接触が得られることを確認した。
一方、より長いスピン緩和長が期待できるInAs量子細線でのスピントランジスタ実現へ向けて、(1)MBEによるInAs基板上のInAsナノワイヤの成長制御ができるようになった。(2)強磁性電極として鉄薄膜を用いたInAsナノワイヤによるスピントランジスタを試作したところ予備的結果ながらゲートによる明瞭なスピン電流変調を確認できた。今後、上記非局所測定の進展に合わせて確実なスピントランジスタ動作の実現を目指していく。
|
