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2010 Fiscal Year Annual Research Report

励起子ライマン分光法の理論

Publicly Offered Research

Project AreaOptical science of dynamically correlated electrons in semiconductors
Project/Area Number 21104516
Research InstitutionNara Institute of Science and Technology

Principal Investigator

稲垣 剛  奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 助教 (10253139)

Keywords励起子系 / テラヘルツ分光 / 電子相関
Research Abstract

半導体中に生成された励起子系が示すテラヘルツ光吸収スペクトルを、クーロン相互作用する電子正孔2バンドモデルに基づいて理論的に解析した。この理論の特徴は、スペクトルの励起子密度依存性が議論できる点である。今年度は、バンド間遷移に伴う可視光吸収スペクトルを求める理論を開発した。これによって、半導体中に生成された電子正孔多体系の性質を可視光およびテラヘルツ光吸収の両面から理論的に解析することが可能になった。
本研究課題で開発したこれらのプログラムを用いて励起子モット転移を議論した。半導体中に生成された電子と正孔は、十分低密度の場合、クーロン相互作用のために励起子と呼はれる束縛状熊を作るが、密度の上昇とともに遮蔽効果が顕在化するため、ある密度を境界に束縛状態を形成することができなくなると考えられている。励起子モット転移と呼ばれるこの現象は、これまで可視光吸収の観点から調べられてきたが、転移温度や密度が定義できる通常の相転移なのか、それとも徐々に状態が移り変わるのかなど、いまだ多くの事が明らかにされていない。励起子のボーズアインシュタイン凝縮(BEC)は励起子モット転移の近傍で起こるものと予想されているため、励起子モット転移近傍における物性の理解は、励起子BECの探索にとって不可欠であると考えられている。
本研究では、励起子ライマンスペクトルが励起子密度を変化させることによってどのように変化してゆくか詳細に調べ、その密度依存性がち励起子モット転移密度を算出する理論式を導出した。この結果は励起子BEC探索に資するものと期待される。

  • Research Products

    (2 results)

All 2010

All Presentation (2 results)

  • [Presentation] テラヘルツ光吸収から調べた励起子モット転移2010

    • Author(s)
      稲垣剛
    • Organizer
      日本物理学会2010年秋季大会
    • Place of Presentation
      大阪府堺市
    • Year and Date
      2010-09-24
  • [Presentation] Excitonic Mott Transitions Studied by the Terahertz Absorption of Direct Bandgap Semiconductors2010

    • Author(s)
      Takeshi J.Inagaki
    • Organizer
      30^<th> International Conference on Physics of Semiconductors
    • Place of Presentation
      大韓民国・ソウル
    • Year and Date
      2010-07-27

URL: 

Published: 2012-07-19  

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