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2011 Fiscal Year Annual Research Report

ナノデバイス応用に向けたカーボンナノチューブ自己複製成長法の研究

Publicly Offered Research

Project AreaCarbon nanotube nanoelectronics
Project/Area Number 22016008
Research InstitutionOsaka University

Principal Investigator

小林 慶裕  大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (30393739)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 根岸 良太  大阪大学, 大学院・工学研究科, 助教 (30381586)
Keywordsカーボンナノチューブ / 成長核 / 化学気相成長法 / 自己複製成長 / カイラリティ / フラーレン / ナノダイヤモンド
Research Abstract

カーボンナノチューブ(CNT)のナノデバイス応用には特定構造を持った単層CNTを選択的に合成する手法の確立が必須である。本研究課題の究極的な目標は、予め特定の構造のみに分別したCNT成長核から同一構造のCNTを再成長(自己複製成長)する技術を開拓し、この問題を解決することにある。H23年度は、H22年度に引き続いて、結晶成長核(フラーレンC60)からの高効率CNT成長法の確立を進めた。フラーレンはCNT構造の一部(キャップ構造)と見なせる。フラーレンからのCNT成長はCNT自己複製成長と類似の過程で進行するため、CNT自己複製成長実現に向けた要素技術となる。さらに、ラマンスペクトルによるCNT成長の効率検証も容易である。昨年度に見出した条件をもとに、高効率成長を実現する指針を探索した結果、成長効率は炭素源ガス(エタノール、アセチレン)の組成や基板上でのフラーレン分子の会合状態に極めて敏感であることを見出した。炭素源ガスにおけるエタノール比率が高いほどCNT成長効率も向上する。しかも、フラーレンと同様に結晶性のナノ粒子であるナノダイヤモンドを成長核とした場合には全く逆の傾向が観測された。これらの結果を基に、成長最初期段階におけるキャップ構造形成と定常的なCNT成長段階におけるエッジ活性化の維持が成長効率を支配することを明らかにした。また、ポリマー状に凝集したフラーレンからCNTが著しく高効率に成長する現象も見出した。しかし、径分布の解析から、成長したCNTの径は1nmを超える場合が多く、自己複製成長と同様の様式でC60半球構造から成長した場合に期待される約0.7nmよりもはるかに太いことが判明した。これはフラーレン集合体がナノダイヤモンドと同様の固体成長核として機能するためと推定される。以上のように、自己複製成長によるCNT構造制御を高効率に行うためには、気相条件に加えて、会合状態の最適化が重要な要因であることを明らかにした。

  • Research Products

    (20 results)

All 2012 2011 Other

All Journal Article (4 results) (of which Peer Reviewed: 4 results) Presentation (14 results) Remarks (1 results) Patent(Industrial Property Rights) (1 results)

  • [Journal Article] Carrier transport properties of the field effect transistors with graphene channel prepared by chemical vapor deposition2012

    • Author(s)
      Ryota Negishi, Yasuhide Ohno, Kenzo Maehashi, Kazuhiko Matsumoto, Yoshihiro Kobayashi
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: (in press)

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Influence of nanoparticle size on the electrical properties of naphthalenediimide with sigle-walled carbon nanotube wiring2012

    • Author(s)
      Hirofumi Tanaka, Liu Hong, Minoru Fukumori, Ryota Negishi, Yoshihiro Kobayashi, Daisuke Tanaka, Takuji Ogawa
    • Journal Title

      Nanotechnology

      Volume: (in press)

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Thickness control of graphene overlayer via layer-by-layer growth on graphene templates by chemical vapor deposition2011

    • Author(s)
      Ryota Negishi, Hiroki Hirano, Yoshihiro Kobayashi, Yasuhide Ohno, Kenzo Maehashi, Kazuhiko Matsumoto
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 50 Pages: 06GE04-1-06GE04-4

    • DOI

      10.1143/JJAP.50.06GE04

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Layer-by-layer growth of graphene layers on graphene substrates by chemical vapor deposition2011

    • Author(s)
      Ryota Negishi, Hiroki Hirano, Yasuhide Ohno, Kenzo Maehashi, Kazuhiko Matsumoto, Yoshihiro Kobayashi
    • Journal Title

      Thin Solid Films

      Volume: 519 Pages: 6447-6452

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2011.04.229

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] ナフタレンジイミドによる単層カーボンナノチューブの金属半導体分離2012

    • Author(s)
      福森稔, 田中啓文, 洪流, 根岸良太, 小林慶裕, 田中大輔, 小川琢治
    • Organizer
      第58回応用物理学会関係連合講演会
    • Place of Presentation
      早稲田大学
    • Year and Date
      20120315-20120318
  • [Presentation] ナノダイヤモンドからのカーボンナノチューブ合成における成長時間依存性2012

    • Author(s)
      郡山翔二, 藤本一輝, 根岸良太, 小林慶裕
    • Organizer
      第58回応用物理学会関係連合講演会
    • Place of Presentation
      早稲田大学
    • Year and Date
      20120315-20120318
  • [Presentation] 気相化学成長条件における単層酸化グラフェン還元・構造回復機構の検討2012

    • Author(s)
      楠本太郎, 平野博紀, 根岸良太, 小林慶裕
    • Organizer
      第58回応用物理学会関係連合講演会
    • Place of Presentation
      早稲田大学
    • Year and Date
      20120315-20120318
  • [Presentation] 酸化グラフェン電界効果トランジスタの作製とセンサー応用2012

    • Author(s)
      倉本一輝, 根岸良太, 大野恭秀, 前橋兼三, 松本和彦, 小林慶裕
    • Organizer
      第58回応用物理学会関係連合講演会
    • Place of Presentation
      早稲田大学
    • Year and Date
      20120315-20120318
  • [Presentation] 乱層構造グラフェン電界効果トランジスタのキャリア輸送特性2012

    • Author(s)
      根岸良太, 大野恭秀, 前橋兼三, 松本和彦, 小林慶裕
    • Organizer
      第58回応用物理学会関係連合講演会
    • Place of Presentation
      早稲田大学
    • Year and Date
      20120315-20120318
  • [Presentation] Transport properties of field effect transistors with a graphene channel prepared by chemical vapor deposition2011

    • Author(s)
      Ryota Negishi, Yasuhide Ohno, Kenzo Maehashi, Kazuhiko Matsumoto, Yoshihiro Kobayashi
    • Organizer
      24th International Microprocesses and Nanotechnology conference
    • Place of Presentation
      Kyoto, Japan
    • Year and Date
      20111024-20111027
  • [Presentation] Investigation of the mobilities for field effect transistor with a graphene channel prepared by chemical vapor deposition2011

    • Author(s)
      Ryota Negishi, Yasuhide Ohno, Kenzo Maehashi, Kazuhiko Matsumoto, Yoshihiro Kobayashi
    • Organizer
      International workshop on quantum nanostructures and nanoelectronics
    • Place of Presentation
      Tokyo, Japan
    • Year and Date
      20111003-20111004
  • [Presentation] Fabrication of field effect transistor arrays using alcohol reduced graphene oxide channel for sensing applications2011

    • Author(s)
      Kazuki Kuramoto, Ryota Negishi, Yasuhide Ohno, Kenzo Maehashi, Kazuhiko Matsumoto, Yoshihiro Kobayashi
    • Organizer
      International workshop on quantum nanostructures and nanoelectronics
    • Place of Presentation
      Tokyo, Japan
    • Year and Date
      20111003-20111004
  • [Presentation] ナノダイヤモンドからのカーボンナノチューブ合成における成長ガス依存性2011

    • Author(s)
      郡山翔二、阿形省吾、根岸良太、小林慶裕
    • Organizer
      第72回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      山形大学
    • Year and Date
      20110829-20110902
  • [Presentation] 化学気相成長条件による酸化グラフェン還元・構造回復過程の層数依存性2011

    • Author(s)
      平野博紀, 楠本太郎, 根岸良太, 小林慶裕
    • Organizer
      第72回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      山形大学
    • Year and Date
      20110829-20110902
  • [Presentation] 結晶性成長核からのカーボンナノチューブ・グラフェン形成とその機構2011

    • Author(s)
      小林慶裕
    • Organizer
      第54回CVD研究会
    • Place of Presentation
      名古屋大学(招待講演)
    • Year and Date
      2011-12-12
  • [Presentation] Electrical transport properties of few layer graphene grown on graphene template by chemical vapor deposition2011

    • Author(s)
      R.Negishi, Y.Ohno, K.Maehashi, K.Matsumoto, Y.Kobayashi
    • Organizer
      The 41^<th> Fulleren-Nanotubes-Graphene General Symposium
    • Place of Presentation
      東京都(都立大学)(国内会議)
    • Year and Date
      2011-09-06
  • [Presentation] CVD growth of carbon nanotubes from C60 fullerene nuclei2011

    • Author(s)
      Shogo Agata, Ryota Negishi, Daisuke Takagi, Yoshikazu Homma, Fumihiko Maeda, Yoshihiro Kobayashi
    • Organizer
      The 30th Electronic Materials Symposium
    • Place of Presentation
      滋賀県(ラフォーレ琵琶湖)(国内会議)
    • Year and Date
      2011-06-29
  • [Presentation] Stacking structure of graphene layers grown on graphene template using the sloped-temperature chemical vapor deposition2011

    • Author(s)
      Ryota Negishi, Hiroki Hirano, Yasuhide Ohno, Kenzo Maehashi, Kazuhiko Matsumoto, Yoshihiro Kobayashi
    • Organizer
      The 30th Electronic Materials Symposium
    • Place of Presentation
      滋賀県(ラフォーレ琵琶湖)(国内会議)
    • Year and Date
      2011-06-29
  • [Remarks]

    • URL

      http://www.ap.eng.osaka-u.ac.jp/nanomaterial/

  • [Patent(Industrial Property Rights)] 高純度カーボンナノチューブ、その製造方法及びそれを用いた透明導電膜2012

    • Inventor(s)
      小林慶裕, 他全8名
    • Industrial Property Rights Holder
      大阪大学および日本化薬(株)
    • Industrial Property Number
      特願2012-27970
    • Filing Date
      2012-02-13

URL: 

Published: 2013-06-26  

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