2023 Fiscal Year Annual Research Report
オペランドX線反射率法を用いた蓄電固体界面反応層形成機構の解明
Publicly Offered Research
| Project Area | Science on Interfacial Ion Dynamics for Solid State Ionics Devices |
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| Project/Area Number |
22H04616
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| Research Institution | Nara Women's University |
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Principal Investigator |
山本 健太郎 奈良女子大学, 工学系, 准教授 (90755456)
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| Project Period (FY) |
2022-04-01 – 2024-03-31
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| Keywords | 固・固界面 / 界面反応層 / X線反射率法 / オペランド測定 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
2023年度は全固体電池における正極／固体電解質の界面構造の分析のためのオペランドX線反射率法をLiCoO2／Li1+xAlxTi2-x(PO4)3(LATP)モデル界面に対して適用し、高電位保持状態における界面反応層の分析とその後低電位保持した際の界面反応層の分析を行なった。定電流により4.2 V (Li+/Li基準相当)到達まで充電した直後においては、LiCoO2/LATPモデル界面には数nmの膜厚の界面反応層が形成していた。さらに4.2 V (Li+/Li基準相当)下で12 h保持した際には、保持時間4 h未満では、界面反応層の膜厚は緩やかに増加し、界面反応層/LATP界面のラフネスは数nmの範囲で山なりに変化していた。保持時間4 h以上では界面反応層の膜厚は反応時間の平方根に比例しながら数十nmまで急激に増加し、界面反応層/LATP界面のラフネスは変化していなかった。界面反応層の散乱長密度は高電位保持状態において変化が見られなかった。これらのことから高電位下において反応層は時間とともに島状から膜状へとその形態を変えながら、電解質の方向へと成長していくことが明らかとなった。さらに、4.2 V保持後に3.0 Vで12 h保持を行うと、界面反応層のラフネスと散乱長密度は変化せず、厚みが減少していたことから、低電位下では高電位で形成した界面層が膜状のまま部分的に減少する可能性が示唆された。オペランドX線反射率法により、全固体電池正極／固体電解質における界面反応層の成長機構を明らかにし、低抵抗な正極／固体電解質界面を設計するための基礎的な知見を得ることに成功した。
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| Research Progress Status |
令和5年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
令和5年度が最終年度であるため、記入しない。
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