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2011 Fiscal Year Annual Research Report

イッテルビウム化合物における重い電子状態のフェルミ面研究

Publicly Offered Research

Project AreaEmergence of Heavy Electrons and Their Ordering
Project/Area Number 23102712
Research InstitutionNagoya Institute of Technology

Principal Investigator

大原 繁男  名古屋工業大学, 工学研究科, 教授 (60262953)

Keywords強相関電子系 / Yb化合物 / フェルミオロジー / サイクロトロン有効質量 / 光電子分光 / 重い電子系超伝導
Research Abstract

新物質である重い電子系反強磁性体YbNi_3Al_9および価数揺動物質YbNi3Gagについて、単結晶育成に成功した。X線構造解析から三方晶ErNi_3Al_9型構造をもつこと、また、c軸方向にYbNi_3Al_9では3倍周期の超格子構造を持つこと、YbNi_3Ga_9では何らかの積層欠陥を持つ可能性がわかり、測定と解析を続けている。参照物質であるLu化合物と合わせて、4種の試料についてde Haas-van Alphen効果を測定し、YbNi_3Ga_9以外は、フェルミ面構造が似ていることがわかった。これはYbあるいはLuが同じ+3価であることを示す。また、
YbNi_3Al_9およびYbNi_3Ga_9ではサイクロトロン有効質量の増大が観測され、重い電子状態を形成している。データ整理とバンド計算との比較を進め、YbNi_3Al_9とYbNi_3Ga_9のフェルミ面の違いを調べている。価電子帯光電子分光からは、YbNi_3Al_9においてYbの価数が+3価であること、YbNi_3Ga_9の価数が約+2.5価であることがわかり、YbNi_3Ga_9において温度の低下に伴う近藤ピークの成長を観測した。近藤ピークから近藤温度は約600Kとなり、磁化率などから見積もられた近藤温度と一致した。
YbNi_3Al_9およびYbNi_3Ga_9の基底状態の調節として圧力効果と置換効果の測定を進め、YbNi_3Al_9の反強磁性が約4GPaで強磁性に転移すること、YbNi_3Ga_9の中間原子価状態は圧力約9GPaで強磁性に転じる事がわかった。置換効果としては、YbNi_3Al_9とYbNi_3Ga_9の混晶の育成により近藤温度が調節できることがわかった。
近藤格子系Yb化合物の良質な単結晶を合成できることはまれであり、参照物質も含め、電子状態の違いを明らかとする上で、Yb化合物の研究において重要な物質を見いだしたといえる。また、その基底状態が圧力により調節できたことは極めて意義があり、今後、磁気揺らぎによる超伝導が見いだされれば、Yb化合物において世界初となる。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

交付申請書に記載した計画通りに進行しており、重い電子系反強磁性体YbNi_3Al_9および価数揺動物質YbNi_3Ga_9の電子状態の直接観察に成功している。またその基底状態の圧力変化についても先行して実験を進めることができている。

Strategy for Future Research Activity

平成24年度は圧力効果を主に推進する計画であったが、価数揺動物質YbNi_3Ga_9の転移圧力が約9GPaと高いことがわかり、簡便な圧力装置では到達できない。そこで、元素置換による基底状態変化を利用した研究を進めている。すでに置換試料の育成と光電子分光測定を試行し、基底状態を調整できることがわかった。反強磁性秩序状態から価数揺動状態までYb化合物における電子状態の変化とYb化合物において重い電子状態の発現条件について知見を得る。

  • Research Products

    (25 results)

All 2012 2011 Other

All Journal Article (2 results) (of which Peer Reviewed: 2 results) Presentation (22 results) Remarks (1 results)

  • [Journal Article] Transport, Thermal, and Magnetic Properties of YbNi_3X_9 (X=Al, Ga) : A Newly Synthesized Yb-Based Kondo Lattice System2012

    • Author(s)
      T.Yamashita, R.Miyazaki, Y.Aoki, S.Ohara
    • Journal Title

      Journal of the Physical Society of Japan

      Volume: 81 Pages: 034705 1-8

    • DOI

      10.1143/JPSJ.81.034705

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Magnetic properties of two-dimensional honeycomb lattice magnet RNi_3Al_9 (R=Gd to Lu)2011

    • Author(s)
      T.Yamashita, S.Ohara, I.Sakamoto
    • Journal Title

      Journal of the Physical Society of Japan

      Volume: 80 Pages: SAPSA49 1-3

    • DOI

      10.1143/JPSJS.80SA.SA080

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] 重い電子系反強磁性体YbNi_3Al_9のNiサイトへのFe,Cu置換効果2012

    • Author(s)
      大原繁男, 他4名
    • Organizer
      日本物理学会、第67回年次大会
    • Place of Presentation
      関西学院大学(兵庫県)
    • Year and Date
      2012-03-27
  • [Presentation] 真空紫外~硬X線光電子分光によるYbNi_3(Ga_<1-x>Al_x)_9(x=0-0.15)の電子状態の研究2012

    • Author(s)
      内海有希, 他13名
    • Organizer
      日本物理学会、第67回年次大会
    • Place of Presentation
      関西学院大学(兵庫県)
    • Year and Date
      2012-03-27
  • [Presentation] 価数揺動物質YbNi_3Ga_9における圧力誘起強磁性2012

    • Author(s)
      平山貴士, 他4名
    • Organizer
      日本物理学会、第67回年次大会
    • Place of Presentation
      関西学院大学(兵庫県)
    • Year and Date
      2012-03-27
  • [Presentation] YbNi_3Ga_9の^<69,71>Ga-NQR2012

    • Author(s)
      神山尚也, 他5名
    • Organizer
      日本物理学会、第67回年次大会
    • Place of Presentation
      関西学院大学(兵庫県)
    • Year and Date
      2012-03-24
  • [Presentation] 重い電子系反強磁性体Ce_2PtGa_<12>の圧力下電気抵抗測定2012

    • Author(s)
      佐々木龍, 他5名
    • Organizer
      日本物理学会、第67回年次大会
    • Place of Presentation
      関西学院大学(兵庫県)
    • Year and Date
      2012-03-24
  • [Presentation] Electronic structures of YbNi_3(Ga_<1-x>Al_x)_9 studied by VUV photoemission spectroscopy2012

    • Author(s)
      Y.Utsumi, 他14名
    • Organizer
      The 16th Hiroshima International Symposium on Synchrotron Radiation
    • Place of Presentation
      広島大学(広島県)
    • Year and Date
      2012-03-01
  • [Presentation] Tuning of the Heavy-Fermion Ground State in YbNi_3X_9 (X=Al, Ga) by substitution2012

    • Author(s)
      S.Ohara, 他5名
    • Organizer
      「重い電子系の形成と秩序化」ワークショップ
    • Place of Presentation
      東京大学物性研究所(千葉県)
    • Year and Date
      2012-01-10
  • [Presentation] 高分解能光電子分光によるYbNi_3X_9 (X=Al, Ga)の電子状態の研究2012

    • Author(s)
      内海有希, 他13名
    • Organizer
      第25回日本放射光学会年会放射光科学合同シンポジウム
    • Place of Presentation
      鳥栖市民文化会館・中央公民館(佐賀県)
    • Year and Date
      2012-01-08
  • [Presentation] Single-crystal growth and structural study of YbNi_3X_9 (X=Al, Ga)2011

    • Author(s)
      S.Ohara, 他3名
    • Organizer
      TOKIMEKI2011, International workshop on heavy fermions
    • Place of Presentation
      大阪大学(大阪府)
    • Year and Date
      2011-11-24
  • [Presentation] Pressure induced antiferromagnetic to ferromagnetic transition in YbNi_3Al_9 single crystal2011

    • Author(s)
      T.Hirayama, 他6名
    • Organizer
      TOKIMEKI2011, International workshop on heavy fermions
    • Place of Presentation
      大阪大学(大阪府)
    • Year and Date
      2011-11-24
  • [Presentation] Pressure- and Magnetic Field-induced Quantum Critical Phenomena in Yb-based Heavy Fermion Compounds2011

    • Author(s)
      K.Matsubayashi, 他7名
    • Organizer
      TOKIMEKI2011, International workshop on heavy fermions
    • Place of Presentation
      大阪大学(大阪府)
    • Year and Date
      2011-11-23
  • [Presentation] 元素置換によるYbNi_3X_9(X=Al,Ga)の基底状態の制御2011

    • Author(s)
      S.Ohara, 他4名
    • Organizer
      第5回物性科学領域横断研究会「凝縮系科学の最前線」
    • Place of Presentation
      東北大学金属材料研究所(宮城県)
    • Year and Date
      2011-11-19
  • [Presentation] YbNi_3Al_9の磁性と電気抵抗の圧力依存性2011

    • Author(s)
      平山貴士, 他6名
    • Organizer
      日本物理学会、2011年秋季大会
    • Place of Presentation
      富山大学(富山県)
    • Year and Date
      2011-09-23
  • [Presentation] YbNi_3Ga_9のNMR/NQRによる研究2011

    • Author(s)
      深澤英人, 他4名
    • Organizer
      日本物理学会、2011年秋季大会
    • Place of Presentation
      富山大学(富山県)
    • Year and Date
      2011-09-23
  • [Presentation] YbNi_3X_9(X=Al,Ga)における高圧下物性測定2011

    • Author(s)
      平山貴士, 他5名
    • Organizer
      日本物理学会、2011年秋季大会
    • Place of Presentation
      富山大学(富山県)
    • Year and Date
      2011-09-22
  • [Presentation] 重い電子系反強磁性体YbNi_3Al_9と価数揺動物質YbNi_3Ga_9のde Haas-van Alphen効果2011

    • Author(s)
      大原繁男, 他4名
    • Organizer
      日本物理学会、2011年秋季大会
    • Place of Presentation
      富山大学(富山県)
    • Year and Date
      2011-09-22
  • [Presentation] 硬X線光電子分光によるYbNi_3X_9(X=Al,Ga)の電子状態の研究2011

    • Author(s)
      内海有希, 他13名
    • Organizer
      日本物理学会、2011年秋季大会
    • Place of Presentation
      富山大学(富山県)
    • Year and Date
      2011-09-22
  • [Presentation] Large Negative Magnetoresistance on Heavy-Fermion Antiferromagnet YbNi_3Al_92011

    • Author(s)
      T.Yamashita, H.Kono, S.Ohara
    • Organizer
      SCES2011
    • Place of Presentation
      ケンブリッジ(イギリス)
    • Year and Date
      2011-09-02
  • [Presentation] Intermediate Valence Behavior of New Ternary Intermetallic Compound YbNi_3Ga_92011

    • Author(s)
      S.Ohara, T.Yamashita
    • Organizer
      SCES2011
    • Place of Presentation
      ケンブリッジ(イギリス)
    • Year and Date
      2011-08-31
  • [Presentation] Pressure-Induced Suppression of the Antiferromagnetic Transition in YbNi_3Al_9 Single Crystal2011

    • Author(s)
      T.hirayama, 他5名
    • Organizer
      SCES2011
    • Place of Presentation
      ケンブリッジ(イギリス)
    • Year and Date
      2011-08-30
  • [Presentation] Fermi surface studies of new Yb-based kondo-lattice compounds : YbNi_3X_9 (X=Al, Ga)2011

    • Author(s)
      S.Ohara, 他3名
    • Organizer
      「重い電子系の形成と秩序化」研究会
    • Place of Presentation
      東京大学物性研究所(千葉県)
    • Year and Date
      2011-06-24
  • [Presentation] 重い電子系Yb系化合物における圧力効果2011

    • Author(s)
      松林和幸, 他8名
    • Organizer
      第28回希土類討論会
    • Place of Presentation
      タワーホール船堀(東京都)
    • Year and Date
      2011-05-12
  • [Remarks]

    • URL

      http://ohara-lab.web.nitech.ac.jp/ohara-lab/RESEARCHES2.html

URL: 

Published: 2013-06-26  

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