2012 Fiscal Year Annual Research Report
グラフェン構造を持ったシリコン平面二次元格子のエピタキシャル成長過程
Publicly Offered Research
| Project Area | Materials Design through Computics: Complex Correlation and Non-equilibrium Dynamics |
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| Project/Area Number |
23104504
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
平山 博之 東京工業大学, 総合理工学研究科(研究院), 教授 (60271582)
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| Project Period (FY) |
2011-04-01 – 2013-03-31
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| Keywords | シリセン / 銀 / 走査トンネル顕微鏡 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本年度は１）すなわちAg(111)表面上のエピタキシャル成長条件で得られるsiliceneの構造のバラエティ、および（２）得られたsiliceneの構造とその電子状態の相関を明らかにすべく研究を行った。
（１）に関しては、２段階成長したAg(111)薄膜上に270℃でSiを蒸着した表面をSTMによって観察し、この表面には様々なオーダーを持ったドメインがパッチワークのように寄せ集まっていることを明らかにした。具体的にAg(111)1x1格子上のsilicene格子は、その格子を下地のAgに対して回転させることによってAg(111)1x1格子にほぼ整合する形で成長し、このとき取りえる回転角に応じて、Ag(111)格子に対してsilicene格子は4x4(θ=0°)、√21x√21（θ=10.9°）、√13x√13（θ=13.9°）、√7x√7（θ=19.1°）、2√3x2√3（θ=30°）の超周期構造が現れることが明らかになった。
また（２）については、様々なローカルオーダーを持ったドメインを持つsilicene表面上で、empty stateの電子状態密度の空間分布をSTMを用いたdI/dV像によって観測し、上記の超周期構造では、基板との整合関係による電子状態のモアレ構造が現れること、さらに高温で成長した際に得られる√3x√3周期をもったsiliceneでは、Dirac電子系の直線的な分散関係が実現されることを見出した。
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| Research Progress Status |
24年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
24年度が最終年度であるため、記入しない。
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Research Products
(4 results)
