2012 Fiscal Year Annual Research Report
強相関電子系におけるスピン揺らぎと異方的散乱の制御
Publicly Offered Research
| Project Area | New Frontier in Materials Science Opened by Molecular Degrees of Freedom |
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| Project/Area Number |
23110704
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| Research Institution | Hiroshima Institute of Technology |
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Principal Investigator |
安塚 周磨 広島工業大学, 工学部, 准教授 (80382034)
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| Project Period (FY) |
2011-04-01 – 2013-03-31
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| Keywords | 異方的超伝導体 / 磁束フロー抵抗 / スピン揺らぎ |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本研究の目的は，強相関電子系として知られる有機超伝導体の磁束フロー抵抗を測定し，超伝導発現機構の解明に欠かせない超伝導ギャップ構造の情報を得ることにある。これまでの国内外の研究では，超伝導ギャップ構造（特にラインノードの方向）を調べるために，角度分解比熱測定や熱伝導率測定が行なわれてきた。しかし，多くの非BCS超伝導体が圧力下の量子臨界点に出現するため，ギャップ構造の実験的決定は困難を極めていた。
このような背景のもとで，圧力下でも測定が容易な磁束フロー抵抗を典型的な擬二次元d波有機超伝導体k-(ET)2Cu(NCS)2に対して行ない，フロー抵抗の面内異方性がラインノードの方向を探るのに有効なプローブになり得るか否かを実験面から検証した。
実験の結果，d波対称性に由来すると考えられる磁束フロー抵抗の面内磁場方位依存性を見出すことができた．本物質のように二次元性の強い異方的超伝導体では、磁場を伝導面と平行に印加するとジョセフソン磁束が形成されることが知られている。このとき磁束の周りに流れている超伝導電流により準粒子エネルギーにドップラー効果が生じるため，準粒子数はギャップ構造を反映して磁場方向に依存する．そのため磁束ダイナミクスのエネルギー散逸もギャップ構造を反映して磁場方向とともに変化すると考えられる．
また，磁気抵抗の面内異方性を常伝導状態について調べたところ，明瞭な四回対称性が見出された。この起源がスピン揺らぎに由来するのか，あるいは単純なフェルミ面の異方性に由来するのかは現時点で不明である。
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| Research Progress Status |
24年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
24年度が最終年度であるため、記入しない。
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