2015 Fiscal Year Annual Research Report
ナノギャップ電極を用いた分子ReRAMの創成
Publicly Offered Research
| Project Area | Molecular Architectonics: Orchestration of Single Molecules for Novel Function |
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| Project/Area Number |
26110522
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| Research Institution | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
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Principal Investigator |
内藤 泰久 国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 主任研究員 (10373408)
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| Project Period (FY) |
2014-04-01 – 2016-03-31
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| Keywords | ナノギャップ / 分子エレクトロニクス / ナノエレクトロニクス / 微細加工 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
ナノギャップ電極の作製はこれまで、光露光や電子ビーム露光など非常に高額なパターンニングプロセスを必要としていた。これは、一回の測定ごとに使い捨てにするナノギャップ電極の高コスト化の原因のひとつであった。そこで、コストの低いメタルマスクによるパターンニングでナノギャップ電極が作製可能か探求した。しかし、メタルマスクはパターニング精度が低く、数10μm 台の大きなパターンでも作製できなければならない。そこで内藤らが独自に見出した蒸着時エレクトロマイグレーション法を取り入れて、ナノギャップの作製を試みた。結果、パターンが大きくなった影響で、一部ナノギャップができにくい条件も存在したが、光露光や電子ビーム露光などと同様にsub1nm 幅のナノギャップ電極が作製可能であることが分った。また、メタルマスク利用によりウエットプロセスフリーが可能となったため、蒸着金属の選択肢の拡張や接着層なしで金のナノギャップ電極作製など、より電極作製の自由度が向上できることが分った。
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| Research Progress Status |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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Research Products
(5 results)
