2015 Fiscal Year Annual Research Report
記憶の多様な形成と再形成を実現するセル・アセンブリの解析
Publicly Offered Research
| Project Area | Principles of memory dynamism elucidated from a diversity of learning systems |
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| Project/Area Number |
26115513
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| Research Institution | Doshisha University |
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Principal Investigator |
櫻井 芳雄 同志社大学, 脳科学研究科, 教授 (60153962)
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| Project Period (FY) |
2014-04-01 – 2016-03-31
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| Keywords | 記憶 / セル・アセンブリ / 同期 / ラット |
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| Outline of Annual Research Achievements |
今年度は、記憶の形成期に見られる一過性のセル・アセンブリ（temporary cell assembly）の存在を示唆する結果を得ることができた。
これまで同様、異なる音刺激対を用いた複数の記憶課題（記憶課題Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ）を用い、記憶課題Ｉを学習させた後、記憶課題Ⅱを２～４日かけて学習させ（Learn1）、次に記憶課題Ⅲを３～５日かけて学習させ（Learn2）、最後に元の記憶課題Ⅰを再学習させた（Relearn）。そしてラットが全ての記憶課題の学習に要した全期間をとおして、海馬から同じマルチニューロン活動を記録し続けた。その結果、記憶課題Ⅱと記憶課題Ⅲの学習過程（Learn1とLearn2）それぞれにおいて、記憶が形成されつつある時期でのみ同期発火を示すニューロンペアが見つかり、そのペアはLearn1とLearn2で異なっていた。またそれらの同期発火は、記憶が形成された学習完成期にはほぼ消失した。
まだ例数は少なく、さらにデータを集める必要があるが、現時点では次の仮説を立てている。１．海馬で一時的に作られるセル・アセンブリによって記憶が作られ、その記憶は新皮質に移されることで固定される。２．その記憶が固定されるに伴い海馬のセル・アセンブリはリセットされ、次の新しい記憶を形成する際には異なるセル・アセンブリがまた一時的に作られる。３．このような海馬のセル・アセンブリのセット・リセットにより、多様な記憶を次々形成することが可能となる。
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| Research Progress Status |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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