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導電性高分子とDNAとの複合材料の合成とその物質評価

Research Project

Project/Area Number 00F00720
Research Category

Grant-in-Aid for JSPS Fellows

Allocation TypeSingle-year Grants
Section外国
Research Field 高分子合成
Research InstitutionChitose Institute of Science and Technology
Host Researcher 今井 敏郎 (2002)  千歳科学技術大学, 光科学部, 助教授
緒方 直哉 (2001)  
Foreign Research Fellow KIM BUNG CHUL  千歳科学技術大学, 光科学部, 外国人特別研究員
KIM B. C.  
Project Period (FY) 2000 – 2002
Project Status Completed (Fiscal Year 2002)
Budget Amount *help
¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,300,000)
Fiscal Year 2002: ¥600,000 (Direct Cost: ¥600,000)
Fiscal Year 2001: ¥700,000 (Direct Cost: ¥700,000)
Keywordsブタジエン誘導体 / 電荷移錯体 / ブレンド
Research Abstract

電子供与性および電子吸引性基を有するブタジエン誘導体の合成方法を確立することができたので大量合成を行って、20g以上のモノマーを合成した。特にヘキサメチレンイミン(HMI)基を側鎖に有するブタジエン誘導体の大量合成はグリニヤル法を用いることによって50gの合成に成功した。
これらブタジエン誘導体モノマーのラジカル重合を行って電子供与および電子吸引性基を有するポリ(ブタジエン)を合成した。これらのポリマーは柔らかいゴム状ポリマーで非晶性であった。これらのポリマーの間で電荷移動錯体の形成が起こることを期待したが共通溶媒を見出すことが難しく、電荷移動反応の確認はできなかったので、モデル反応による検討を行った。
シアノ基およびHMI基を有するブタジエン誘導体をn-ヘキサンを溶媒に用いて等量混合して可視-紫外スペクトルの測定を行った結果、220nmに存在するニトリル基の吸収は消失して300nm付近に大きく移動して電荷移動錯体の形成が確認された。さらにモデル物質としてトリエチルアミンおよびアクリロニトリルを等量n-ヘキサン中に混合して可視-紫外吸収スペクトルを測定した結果、同様にニトリル基に基づく220nmの吸収は300nmに移動して電荷移動錯体の形成が起こることを認めた。
これらの結果から研究計画で予想したポリマー間における電荷移動錯体の形成は起こるものと考えられたが、共通溶媒が見出せなかったために確証は得られなかった。さらにDNAとこれらブタジエン誘導体との間の電荷移動反応についても検討したが、共通溶媒が無く、確認に至らなかった。しかし、ポリマーブレンド法によるミクロ分散体ではシアノ基による吸収の焼失が見られ、電荷移動反応が起こることを確認した。

Report

(1 results)
  • 2002 Annual Research Report

URL: 

Published: 2001-04-01   Modified: 2016-04-21  

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