| Project/Area Number |
01650515
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Institution | Nagoya University |
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Principal Investigator |
田中 信夫 名古屋大学, 工学部, 助手 (40126876)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
森田 健治 名古屋大学, 工学部, 教授 (10023144)
美浜 和弘 名古屋大学, 工学部, 教授 (50023007)
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| Project Period (FY) |
1989
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1989)
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| Budget Amount *help |
¥2,000,000 (Direct Cost: ¥2,000,000)
Fiscal Year 1989: ¥2,000,000 (Direct Cost: ¥2,000,000)
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| Keywords | 極微小電子線 / ナノメ-タ-電子回折 / 金属-半導体界面 / 半導体超格子 / 電子線誘起電流測定 |
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| Research Abstract |
(1)平成元年度は極微小電子線プロ-ブを用いた半導体-金属、半導体-半導体界面の研究のために試料作製法の開発と試料ホルダ-の作製を行なった。
(2)界面の解析の研究用に使用した試料は、GaAs/AlGaAs、Inp/InGaP超格子、金属、半導体/Mgo 多層膜界面、Ga/Si積層膜界面である。
(3)作製された試料の電子線誘起電流(EBIC)測定、エレクトロマイグレ-ション測定を行なうため、試料支持部(3mmφ)に通電用電極をもった試料ホルダ-を当教室の工作室で自作した。このホルダ-と超高感度エレクトロメ-タ-及び定電圧直流電源を連結し、実験を行なう。
(4)ナノメ-タ-回折の実験としては、Inp/InGaP歪超格子の界面の歪の検出を行なった。この超格子は1%程度の格子不整合をもっため、界面近傍び格子が歪んでいることが予想されていた。当研究者は半導体メ-カ-の研究グル-プと共同でナノメ-タ-回折と暗視野像法を併用して界面近傍の歪をナノメ-タ-スケ-ルで検出することに成功した。
(5)上記ナノメ-タ-電子回折及びEBIC測定の準備実験と並行して、界面の断面方向からの高分解電子顕微鏡を撮影し、界面における不一到転位の密度、界面の特殊構造などを研究した。
(6)各種半導体界面のイオン散乱実験を行ない、界面構造を決定した。
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