新規基板材料二ホウ化ジルコニウム上へのGaN系窒化物のエピタキシャル成長及びナノ構造の作製
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03F03910
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| Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 外国 |
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| Research Field |
応用物性・結晶工学
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| Research Institution | Kyoto University |
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Principal Investigator |
須田 淳 京都大学, 工学研究科, 講師
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
ARMITAGE Robert David 京都大学, 工学研究科, 外国人特別研究員
ARMITAGE D.Robert 京都大学, 工学研究科, 外国人特別研究員
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| Project Period (FY) |
2003 – 2005
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2005)
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| Budget Amount *help |
¥1,200,000 (Direct Cost: ¥1,200,000)
Fiscal Year 2005: ¥100,000 (Direct Cost: ¥100,000)
Fiscal Year 2004: ¥1,100,000 (Direct Cost: ¥1,100,000)
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| Keywords | 窒素ガリウム / 分子線エピタキシー / ホウ化ジルコニウム / 新規基板 / 成長機構 / ヘテロエピタキシー / GaN / ZrB_2 / MBE / 格子整合 |
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| Research Abstract |
GaN系窒化物半導体は緑色〜紫外線領域に相当するバンドギャップを持つ半導体材料であり、次世代の高輝度・高効率発光デバイス材料として大きな期待を集めている。発光ダイオードは既に商品化され広く用いられるようになってきたが、紫外線レーザーについてはまだ十分な性能のものは実現されていない。その一つの要因として、適切な基板材料が存在しないことが挙げられる。二ホウ化ジルコニウム(ZrB2)はGaNとほぼ等しい格子定数を持ち、また、熱伝導率、電気伝導率、劈開性に優れた理想的なレーザー用基板である。ZrB2上にGaNのエピタキシャル結晶成長が可能なことは、研究代表者により4年前に実証されたが、得られたGaN結晶の品質はまだ不十分であり、ZrB2の格子整合という利点を引き出すには至っていない。本研究では、さらなる高品質化のために、ZrB2上へのGaNの結晶成長プロセスの改善や、AlNを含んだAlGaN混晶の利用による完全格子整合などをに取り組んだ。本研究によりこれまでに得られた成果を総合し、ZrB2の表面状態とその上に成長したGaN系窒化物の結晶性との関係を総合的に理解し、もっとも高品質なGaN系窒化物結晶の得られる条件を選定した。本研究により見出された、ZrB2の数種類の表面超構造について、その起源、表面モデルなどについて検討を進めた。
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Report
(2 results)
Research Products
(3 results)
