| Project/Area Number |
04F04347
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| Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 外国 |
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| Research Field |
Electronic materials/Electric materials
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
岩本 光正 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
ZOU Gang 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 外国人特別研究員
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| Project Period (FY) |
2004 – 2005
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2005)
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| Budget Amount *help |
¥2,400,000 (Direct Cost: ¥2,400,000)
Fiscal Year 2005: ¥1,200,000 (Direct Cost: ¥1,200,000)
Fiscal Year 2004: ¥1,200,000 (Direct Cost: ¥1,200,000)
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| Keywords | ポリジアセチレン / 単分子膜 / MDC / SHG / キラル性 |
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| Research Abstract |
LB法はナノスケールで制御された分子集合体を作製できる手法の1つであるが、膜の物理化学的性質は、分子の集積過程や、作製された膜の性質に少なからず影響を与える。本研究では、気液界面膜やLB固体膜におけるジアセチレン単分子膜(および多層累積膜)の物性と重合に関する研究とその理解を目的としている。
本年度はLB法とともに蒸着法による薄膜作製も試み、その物性測定を行った。まず、LB法について、累積条件(表面圧)と膜のモルフォロジとの関係について検討を行ったところ、表面圧によって膜のパッキング密度が明確に変化することがAFM測定により明らかとなった。この結果をもとに、密にパッキングしているサンプルについてFET特性を測定したところ、FET特性が観測され、電流のゲート電圧依存性について検討を行った。一方、蒸着膜に関しては、作製したモノマー膜に対して、円偏光を照射することでキラル構造の形成を試みた。結果、左右円偏光に照射による光重合により、一方向のキラリティを持ったポリジアセチレンが優先的に生成されることが明らかとなった。
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