S-I転移における臨界面抵抗の普遍性:Nd系高温超伝導体での検証

Research Project

Project/Area Number	05224205
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
Allocation Type	Single-year Grants
Research Institution	Hokkaido University
Principal Investigator	中山恒義北海道大学, 工学部, 教授 (80002236)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	丹田聡北海道大学, 工学部, 助教授 (80217215)
Project Period (FY)	1993
Project Status	Completed (Fiscal Year 1993)
Budget Amount *help	¥3,600,000 (Direct Cost: ¥3,600,000) Fiscal Year 1993: ¥3,600,000 (Direct Cost: ¥3,600,000)
Keywords	高温超伝導体 / S-I転移 / 相転移 / スケーリング
Research Abstract	分子線エピタキシー(MBE)法により、良質のNdCeCuO単結晶薄膜を作製し、また本年度はNdCeCuF単結晶、BiSrCuO単結晶作製に成功した。これらのサンプルを用い以下のような研究を遂行した。 (1)S-I転移近傍において、普遍的臨界面抵抗(R=h/4e^2)の値をとるか精密な実験を遂行した。特に100mKまでの希釈冷凍器温度領域までの実験を行った。 (2)ゼロ磁場下において超伝導-絶縁体近傍における伝導機構、特に電荷ボソンの可変領域ホッピング(VRH)型伝導[R_<xx>=A[exp(To/T)^x]]の指数xの実験的決定を行った。 (3)磁場変調型S-I転移のダイナミクスを調べるため、超伝導マグネットを用い高磁場下における面抵抗の測定を行い、特にこれまで1.5Kしか測定できなかったのを、希釈冷凍器により100mK領域までの測定データをとれるようにした。