プラズマエッチングにおけるチャージング機構解明とチャージングフリープラズマの計測
Project/Area Number |
05J08098
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Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 国内 |
Research Field |
Thin film/Surface and interfacial physical properties
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Research Institution | Keio University |
Principal Investigator |
大森 健史 慶應義塾大学, 理工学部, 特別研究員(PD)
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Project Period (FY) |
2005 – 2006
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Project Status |
Completed (Fiscal Year 2006)
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Budget Amount *help |
¥1,900,000 (Direct Cost: ¥1,900,000)
Fiscal Year 2006: ¥900,000 (Direct Cost: ¥900,000)
Fiscal Year 2005: ¥1,000,000 (Direct Cost: ¥1,000,000)
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Keywords | チャージングダメージ / ダブルレイヤ / プラズマエッチング / CT計測 |
Research Abstract |
1.昨年度から継続される高アスペクトパターン(AR=10)を用いた東北大学と宮城沖電気との共同研究の発展として、負電荷加速によるチャージング解消効果を計測し詳細な結果を得た。チャージング電圧はAr中にて50Vの高い飽和電圧を示した。一方、CF_4/Ar中では負電荷加速を適用することによりAr中に比ベチャージング電圧を5V減少できた。また低アスペクトパターンと比べ高アスペクトパターンを用いた場合のチャージング電圧の解消効果は小さくなることが分かった。 2.微細ホールパターン内の表面での側壁電流をin-situ計測にて見積もるための新しい計測系を設計・構築した。この計測によりパターン側壁での表面電流発生の特性を解明し、側壁表面での放電による微細パターン内の上部バリアポテンシャルや底チャージング電圧への影響を実証するための初歩的な結果を得た。微細パターン内の側壁電流の計測は今後真壁研究室にて継続される予定である。 3.昨年度改良を行ったプラズマ構造診断システムにより、電極間隔全域での2次元時間分解計測を行いバイアス1周期内Ar中での生成・維持構造の圧力特性を得た。またArメタステーブルと電子の衝突によって励起されるAr(2p_9)からの発光を用い、軸方向バイアス1周期内の低エネルギー電子の挙動を明らかにした。 4.昨年度構築した吸収分光システムを改良しArメタステーブルの絶対値計測を行い軸方向分布を得た。 5.上記の1についてはレビューペーパーとして学術論文誌(Appl.Surf.Sci.)へ投稿し受理され、国際学会(1件)にて発表した。3については国際学会(2件)と国内学会(1件)にて発表を行った。また1と2の結果に加え、真壁研究室にて開発された形状発展モデルによるチャージング電圧のアスペクト比特性の計算結果をまとめた論文と、3と4の結果をまとめた論文を学術論文誌へ投稿予定である。
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Report
(2 results)
Research Products
(2 results)