カーボンナノチューブとシリコンのナノ構造配列の作成・評価と電子デバイスへの応用
Project/Area Number |
05J84203
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Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 国内 |
Research Field |
Nanostructural science
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Research Institution | Waseda University |
Principal Investigator |
辰村 光介 早稲田大学, 理工学術院, 特別研究員(PD)
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Project Period (FY) |
2005
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Project Status |
Completed (Fiscal Year 2005)
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Budget Amount *help |
¥1,100,000 (Direct Cost: ¥1,100,000)
Fiscal Year 2005: ¥1,100,000 (Direct Cost: ¥1,100,000)
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Keywords | 歪みシリコン / X線回折 / Siナノ細線 / 格子歪み / カーボンナノチューブ |
Research Abstract |
シリコンのナノ構造配列に関しては、断面形状が幅30nm高さ50nmであるシリコンナノ細線を300nm周期で、15mm×15mmの大面積に作り込んだ試料を作成し、極微なSi構造体の歪みを、非破壊、高精度、直接的に測定するX線回折手法を開発した。現在、微小な格子歪みによるナノSi構造体の電気伝導特性(バンドギャップや、キャリヤ移動度)の制御が注目を集めている。貼りあわせSilicon-On-Insulator基板を使用すると、上部SOI層と下部バルクSi基板の結晶方位が僅かに異なるため、SOI層を加工した微細なSi細線からのBragg反射をバルクSiからの巨大な反射から分離して観測することが可能となる。更に周期的なSi細線構造をEB描画によって作りこむことで、周期的な逆格子ロッドを発生させることが出来る。1次ロッドは、0次ロッドよりも更にバルクSiからの反射から遠い位置にあるので、更に高いS/N比でSi細線からの信号を測定できる。幅30nm、高さ50nmのSiナノ細線(原子150個程度の長さスケール)を、850℃、5時間させた試料は、引っ張り方向にSi格子が0.3%歪んでいることが分かった。 カーボンナノチューブ構造配列に関しては、SiC基板に成長させた垂直配向CNT薄膜のパターニング法の開発にあたった。Siの微細加工法の応用し、(1)金属薄膜体積、(2)EBレジスト塗布、(3)EB描画、(4)ウェットプロセスによるレジストパターンの金属薄膜への転写、(5)メタルマスクによるCTN薄膜のパターニング、の検討を行った。
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Report
(1 results)
Research Products
(3 results)
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[Journal Article] Ordered Structure in the Thermal Oxide Layer on Silicon Substrates2005
Author(s)
T.Shimura, E.Mishima, H.Watanabe, K.Yasutake, M.Umeno, K.Tatsumura, T.Watanabe, I.Ohdomari, K.Yamada, S.Kamiyama, Y.Akasaka, Y.Nara, K.Nakamura
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Journal Title
ECS Transactions 1
Pages: 39-48
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