ナノビーム誘起反応機構に基づいた新規微細加工プロセスの創製
| Project/Area Number |
06J09038
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| Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 国内 |
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| Research Field |
Material processing/treatments
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
山本 洋揮 Osaka University, 産業科学研究所, 特任助教(常勤)
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| Project Period (FY) |
2006 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2007)
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| Budget Amount *help |
¥1,900,000 (Direct Cost: ¥1,900,000)
Fiscal Year 2007: ¥900,000 (Direct Cost: ¥900,000)
Fiscal Year 2006: ¥1,000,000 (Direct Cost: ¥1,000,000)
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| Keywords | 単一成分化学増幅型レジスト / 新規微細加工 / 次世代リソグラフィ / 極端紫外光 / 反応機構 / 電子線レジスト / 酸発生効率 / 吸収係数 / 化学増幅型レジスト / レジストナノ形状(LER) / 酸拡散 / EUVレジスト |
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| Research Abstract |
解明した反応機構より、ポリマーにプロトン発生とアニオン発生の両方の機能をもたせれば、単一成分化学増幅型レジストが実現できると考えられる。臭素化したポリヒドロキシスチレン(Br-PHS)では、一般的な化学増幅型レジストのパターン形成には超酸とは異なるが、強酸であるHBrが形成することがわかった。そこで、強酸であるHBrでも化学増幅として機能するように、単一成分ポジ型化学増幅型レジストを設計した。これまでの知見に基づいて、プロトン発生源としてヒドロキシル基、アニオン発生源として臭素を選んだ。臭素は電子の散乱を抑えることができる。さらに、ポリマーから生成するHBrのような強酸でも有効にパターン形成に使われるようにするため、保護基として脱保護反応に必要な活性化エネルギーが低いエトキシエチル基を選んだ。実際に、電子線を使ってこのレジストのレジスト性能を調べると良好な加工性能を示した。このように、反応機構の違いを利用して、フォトレジストとは違ったアプローチで電子線レジストの開発が可能であるということを実証した。
また、昨年の実験から、EUV(極端紫外光)化学増幅型レジストでは、主にポリマーのイオン化で酸が形成することが明らかになった。ポリマーのEUV吸収の増大が酸発生量にどのように寄与しているかはレジスト設計にとって非常に重要になる。よって、EUV露光することによってフッ素樹脂の酸発生量を見積もり、酸発生に対するポリマーの吸収係数の効果を調べた。膜厚の違いで相対的な酸発生効率を比較すると、フッ素原子がある場合、100nmの相対的な酸発生効率のほうが1300nmの相対的な酸発生効率より大きくなることがわかった。これは、表面付近でポリマーによるEUVの吸収が大きいためで、ポリマーの吸収係数の増加が実際に酸発生量の増加につながることを明らかにした。
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Report
(2 results)
Research Products
(8 results)
